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浙江大学;杭州悦芯微电子有限公司何乐年获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江大学;杭州悦芯微电子有限公司申请的专利一种SAR ADC分段结构低段寄生校正方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115913230B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211685228.X,技术领域涉及:H03M1/10;该发明授权一种SAR ADC分段结构低段寄生校正方法是由何乐年;施政学;奚剑雄;张啸蔚设计研发完成,并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种SAR ADC分段结构低段寄生校正方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种SARADC分段结构低段寄生校正方法,该校正方法在传统分段SARADC的基础上增加一个额外的基准源以消除桥电容分段后低段阵列寄生电容的影响,从而增加低段电容的位数,降低单位电容的容值,进而降低电容阵列的总容值以减小功耗。该校正方法在上电后可根据数字逻辑进行自动校正,首先测量比较器的失调以避免比较器失调对校正结果的影响,随后会逐次逼近确定可调基准源输出电压的大小以消除寄生电容的影响,结果会存储在寄存器中,当进行正常转换时读取寄存器中的校正码,如此可以消除寄生电容带来的影响。本发明可以广泛应用于SARADC设计中,用于减小电容面积和降低功耗。

本发明授权一种SAR ADC分段结构低段寄生校正方法在权利要求书中公布了:1.一种SARADC分段结构低段寄生校正方法,其特征在于:所述SARADC包括差分DAC阵列、比较器以及参考电压源,所述参考电压源包含一个基准电压VREF和一个可调节电压VREFB,所述可调节电压VREFB为在给定基准电压VREF的基础上进行改造所产生编程可变的参考电压,用于校正生产制造过程中低段阵列产生的电容寄生对权重误差带来的影响; 所述校正方法首先利用差分DAC阵列通过模拟的方法逐次比较以获取比较器失调电压编码,然后根据该编码调节LSB段下极板连接的VREFB,消除在生产制造过程中不可避免的LSB段寄生电容对SARADC线性度带来的影响,过程中利用比较器失调编码消除比较器失调的影响,具体过程如下: 步骤B1.对P极寄生电容进行校正,具体过程如下: 采样阶段,所有电容的上极板接共模电压VCM,LSB段SPH的下极板接地,MSB段SPH中最低位电容的下极板接VREF,其余位电容的下极板接地;LSB段SPL的下极板接地,MSB段SPL的下极板接VREF,所有SNH的下极板接地,所有SNL的下极板接VREF; 转换比较阶段,断开电容上极板与VCM的连接,将LSB段SPH中最低位电容的下极板改接VREFB,其余位电容的下极板保持不变;LSB段SPL的下极板改接VREFB,MSB段SPL中最低位电容的下极板改接地,其余位电容的下极板保持不变;所有SNH和SNL下极板开关读取对应N端校正的比较器失调电压编码进行开关动作; 根据比较器的比较结果,由高到低逐次调节VREFB的值得到VREFB的校正码值:如果比较结果为N端小于P端,则降低VREFB的增益系数,令对应位的校正码值为0;如果比较结果为N端大于P端,则增加VREFB的增益系数,令对应位的校正码值为1; 步骤B2.对N极寄生电容进行校正,具体过程如下: 采样阶段,所有电容的上极板接共模电压VCM,LSB段SNH的下极板接地,MSB段SNH中最低位电容的下极板接VREF,其余位电容的下极板接地;LSB段SNL的下极板接地,MSB段SNL的下极板接VREF,所有SPH的下极板接地,所有SPL的下极板接VREF; 转换比较阶段,断开电容上极板与VCM的连接,将LSB段SNH中最低位电容的下极板改接VREFB,其余位电容的下极板保持不变;LSB段SNL的下极板改接VREFB,MSB段SNL中最低位电容的下极板改接地,其余位电容的下极板保持不变;所有SPH和SPL下极板开关读取对应P端校正的比较器失调电压编码进行开关动作; 根据比较器的比较结果,由高到低逐次调节VREFB的值得到VREFB的校正码值:如果比较结果为P端小于N端,则降低VREFB的增益系数,令对应位的校正码值为0;如果比较结果为P端大于N端,则增加VREFB的增益系数,令对应位的校正码值为1; 步骤B3.重复步骤B1和B2多次,以消除热噪声对比较结果产生的影响,将得到的比较结果记录在寄存器中并求平均值,即作为SARADC转换阶段VREFB的电压取值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学;杭州悦芯微电子有限公司,其通讯地址为:310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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