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龙图腾网获悉圣邦微电子(苏州)有限责任公司申请的专利NMOS低压差线性稳压器、芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116088623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211729799.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权NMOS低压差线性稳压器、芯片及电子设备是由武子建;于翔设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本NMOS低压差线性稳压器、芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供一种NMOS低压差线性稳压器、芯片及电子设备，属于LDO技术领域。所述NMOSLDO包括：软启动电路、误差放大器与缓冲级依次耦接；缓冲级的输出端耦接第一晶体管的第一极与第一节点；第一晶体管的控制极耦接第一晶体管的第二极与第二节点；开关控制电路耦接在第一节点与第二节点之间；电荷泵电路的输出端耦接NMOS功率管的控制极与第二节点；NMOS功率管的第二极耦接第一电压端，其第一极依次耦接NMOSLDO的输出端、第一反馈电阻、第二反馈电阻与第二电压端。软启动电路在上电后控制启动信号随着电源电压的上升而上升直到达到预设电压值，并将启动信号提供至开关控制电路；开关控制电路利用启动信号控制所述第一晶体管的通断，以控制NMOS功率管的通断。

本发明授权NMOS低压差线性稳压器、芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种NMOS低压差线性稳压器，其特征在于，包括：软启动电路、开关控制电路、电荷泵电路、NMOS功率管、误差放大器、缓冲级、第一晶体管、第一反馈电阻和第二反馈电阻，其中，所述软启动电路的输出端耦接所述误差放大器的同相输入端，所述误差放大器的输出端耦接所述缓冲级的输入端，所述缓冲级的输出端耦接所述第一晶体管的第一极与第一节点，所述第一晶体管的控制极耦接所述第一晶体管的第二极与第二节点，所述开关控制电路耦接在所述第一节点与所述第二节点之间，所述电荷泵电路的输出端耦接所述NMOS功率管的控制极与所述第二节点，所述NMOS功率管的第一极耦接所述NMOS低压差线性稳压器的输出端与所述第一反馈电阻的第一端，所述NMOS功率管的第二极耦接第一电压端，所述第一反馈电阻的第二端耦接所述第二反馈电阻的第一端与所述误差放大器的反向输入端，所述第二反馈电阻的第二端耦接第二电压端， 其中，所述电荷泵电路用于产生偏置电压，并经由所述第二节点将所述偏置电压提供至所述NMOS功率管的控制极； 所述软启动电路用于在上电后控制启动信号随着电源电压的上升而上升直到达到预设电压值，并将所述启动信号提供至所述开关控制电路； 所述开关控制电路用于利用所述启动信号控制所述第一晶体管的通断，以控制所述NMOS功率管的通断， 其中，所述开关控制电路包括：第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第三电阻器、第四电阻器、第二电容器和施密特触发器， 其中，所述第二晶体管的控制极耦接所述施密特触发器的第一输出端，所述第二晶体管的第一极耦接第三电压端，所述第二晶体管的第二极耦接所述第三电阻器的第一端； 所述第三晶体管的控制极耦接所述施密特触发器的第二输出端，所述第三晶体管的第一极耦接所述第三电阻器的第一端，所述第三晶体管的第二极耦接所述第二电压端； 所述第三电阻器的第二端耦接所述第二电容器的第一端； 所述第四晶体管的控制极耦接所述第二电容器的第一端，所述第四晶体管的第一极耦接所述第四电阻器的第一端，所述第四晶体管的第二极耦接所述第二节点； 所述第四电阻器的第二端耦接所述第一节点； 所述第二电容器的第二端耦接所述第二电压端； 所述施密特触发器的输入端耦接所述软启动电路的输出端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人圣邦微电子(苏州)有限责任公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星湖街328号创意产业园2B座2-B-703；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。