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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种Ga³⁺掺杂In₂O₃ MEMS甲醛传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116443918B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310020747.2，技术领域涉及：C01G15/00；该发明授权一种Ga³⁺掺杂In₂O₃ MEMS甲醛传感器的制备方法是由段国韬;张彦林;张征;张宇;陈劲涛;吕国梁设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Ga³⁺掺杂In₂O₃ MEMS甲醛传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于气体传感器领域，具体公开了一种Ga3+掺杂In2O3MEMS甲醛传感器的制备方法，包括以下步骤：S1将可溶性铟盐、可溶性镓盐、尿素、弱酸强碱盐与去离子水混合搅拌形成均一的混合溶液；S2将混合溶液在100‑200℃的温度下进行水热反应2h‑48h；S3将水热产物在空气气氛下进行退火热处理，得到Ga3+掺杂In2O3材料。本发明通过对向In2O3材料中引入Ga3+掺杂，并控制Ga3+掺杂量不超过15％，掺杂后晶粒尺寸减小、晶体结构发生变化由六方相氧化铟变为双相异质结氧化铟；应用于MEMS甲醛传感器时，基于掺杂的“小尺寸”效应和双晶相异质结的协同作用，能够有效提高氧化铟MEMS甲醛传感性能。

本发明授权一种Ga³⁺掺杂In₂O₃ MEMS甲醛传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Ga3+掺杂In2O3材料改变In2O3材料晶体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （S1）将0.2500gInNO33·4.5H2O、0.3500g柠檬酸钠、0.075g尿素依次加入40ml去离子水中，磁力搅拌；然后，再向其中加入0.0125g、0.0250g或0.0375g的GaNO33·xH2O，磁力搅拌形成均一的混合溶液； 或者：（S1）将0.100gInNO33·4.5H2O、0.1000g柠檬酸钠、0.0050g尿素依次加入40ml去离子水中，磁力搅拌；然后，再向其中加入0.0050g、0.0100g、0.0150g的GaNO33·xH2O，磁力搅拌形成均一的混合溶液； 或者：（S1）将0.5000gInNO33·4.5H2O、0.5000g柠檬酸钠、0.1000g尿素依次加入40ml去离子水中，磁力搅拌；然后，再向其中加入0.0250g、0.0500g、0.0750g的GaNO33·xH2O，磁力搅拌形成均一的混合溶液； （S2）将步骤（S1）得到的混合溶液转移到反应釜中，然后在100-200℃的温度下进行水热反应2h-48h； （S3）将步骤（S2）得到的水热产物在空气气氛下进行退火热处理，所述退火热处理是在空气气氛下于450℃退火温度退火热处理2小时，从而得到Ga3+掺杂In2O3材料；相较于不使用可溶性镓盐得到的不含Ga3+掺杂的纯相六方相氧化铟，该Ga3+掺杂In2O3材料同时含有六方相In2O3和立方相In2O3。

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