武汉光迅科技股份有限公司;湖北光谷实验室万枫获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光迅科技股份有限公司;湖北光谷实验室申请的专利一种EML芯片与测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118336504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310034884.1，技术领域涉及：H01S5/00；该发明授权一种EML芯片与测试方法是由万枫;熊永华设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种EML芯片与测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种EML芯片与测试方法，通过将EML芯片中调制器区的部分调制器去除，来作为测试电极中G电极的共用地线，将测试电极的G电极设置于去除调制器后暴露出来的衬底上，将S电极与G电极设置于调制器去，从而将测试电极集成于EML芯片上，并将薄膜电阻设置于G电极以及G电极与S电极之间填充层上，免去了对EML芯片的COC封装过程，以及去除了COC封装中金丝所带来的电感电容误差，并且在微波探针与S电极相接的同时通过切换微波探针与薄膜电阻的断开或连接，从而进行直流测试或者高频测试。
本发明授权一种EML芯片与测试方法在权利要求书中公布了：1.一种EML芯片，其特征在于，包括：薄膜电阻1和测试电极4，其中： 所述EML芯片包括激光器区2和调制器区3，所述调制器区3包括调制区域31和测试区域32，所述测试电极4和所述薄膜电阻1均设置在所述测试区域32中； 所述调制区域31设置有调制电极7，所述调制电极7向靠近所述激光器区2的方向延展，所述测试电极4包括S电极41和G电极42，所述S电极41设置在所述调制电极7的侧边，所述S电极41与所述调制电极7连接，所述G电极42邻近所述S电极41设置，所述薄膜电阻1的一端与所述G电极42连接，所述薄膜电阻1的另一端与所述S电极41之间存在预设间隔； 其中，在外部探针的作用下，所述薄膜电阻1的另一端与所述S电极41选择性连接，以切换所述EML芯片的测试模式。
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