华中科技大学;上海精测半导体技术有限公司陈修国获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学;上海精测半导体技术有限公司申请的专利一种基于条件数的纳米结构散射测量配置优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116068865B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310094923.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种基于条件数的纳米结构散射测量配置优化方法及系统是由陈修国;杨天娟;张家豪;刘硕;刘世元;李仲禹设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于条件数的纳米结构散射测量配置优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于条件数的纳米结构散射测量配置优化方法及系统，属于光刻技术领域，方法包括：步骤S1、确定纳米结构的待测形貌参数以及散射测量的参数提取过程中固定不变的参数；步骤S2、基于所述待测形貌参数和所述固定不变的参数，构建散射测量中衡量测量信号和理论信号之间拟合误差的评价函数；步骤S3、基于所述评价函数，得到所述待测形貌参数的误差传递矩阵；步骤S4、计算在不同的测量条件下，所述待测形貌参数的误差传递矩阵的条件数，条件数最小的测量条件即为最优配置。本发明还提供了一种基于条件数的纳米结构散射测量配置优化系统。本发明为实现高测量精度、准确度和鲁棒性好的纳米结构散射测量提供了一种新的测量配置优化方案。
本发明授权一种基于条件数的纳米结构散射测量配置优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于条件数的纳米结构测量配置优化方法，其特征在于，包括： 步骤S1、确定纳米结构的待测形貌参数x以及散射测量的参数提取过程中固定不变的参数a； 步骤S2、基于所述待测形貌参数x和所述固定不变的参数a，构建散射测量中衡量测量信号和理论信号之间拟合误差的评价函数； 步骤S3、基于所述评价函数，得到所述待测形貌参数的误差传递矩阵； 步骤S4、计算在不同的测量条件下，所述待测形貌参数的误差传递矩阵的条件数，条件数最小的测量条件即为最优配置； 步骤S3中，基于所述评价函数，得到所述待测形貌参数的误差传递矩阵，包括： 计算所述理论信号对所述待测形貌参数x的一阶Taylor展开式； 将所述一阶Taylor展开式代入所述评价函数，得到所述待测形貌参数的误差传递矩阵。
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