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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善嵌入式中高压器件工艺兼容性及可靠性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310111569.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权改善嵌入式中高压器件工艺兼容性及可靠性的方法是由潘世友;张志刚;王奇伟设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善嵌入式中高压器件工艺兼容性及可靠性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善嵌入式中高压器件工艺兼容性及可靠性的方法，提供衬底，在所述衬底上形成牺牲氧化层，然后形成STI以定义出有源区，所述有源区上形成有第一至三器件区；在所述第二器件区上形成轻掺杂漏，之后在所述衬底上形成覆盖所述第一至三器件区的硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶层，光刻打开所述第二器件区上的所述光刻胶层，使得其下方的所述硬掩膜层裸露，刻蚀所述硬掩膜层使得所述第二器件区上的所述牺牲氧化层和部分所述STI裸露；刻蚀裸露的所述牺牲氧化层和所述STI，使得其台阶高度和形貌为预设值；回刻蚀裸露的所述STI和所述衬底至所需回刻蚀量。本发明能够实现低压和中压器件物理形貌及其电性可靠性改善。

本发明授权改善嵌入式中高压器件工艺兼容性及可靠性的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善嵌入式中高压器件工艺兼容性及可靠性的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成牺牲氧化层，然后形成STI以定义出有源区，所述有源区上形成有第一器件区、第二器件区和第三器件区，其中，所述第一器件区为低压器件区，所述第二器件区为中压器件区，所述第三器件区为高压器件区； 步骤二、在所述第二器件区上形成轻掺杂源漏，之后在所述衬底上形成覆盖所述第一器件区、所述第二器件区和所述第三器件区的硬掩膜层； 步骤三、在所述硬掩膜层上形成光刻胶层，光刻打开所述第二器件区上的所述光刻胶层，使得其下方的所述硬掩膜层裸露，刻蚀所述硬掩膜层使得所述第二器件区上的所述牺牲氧化层和部分所述STI裸露； 步骤四、刻蚀裸露的所述牺牲氧化层和所述STI，使得其台阶高度和形貌为预设值； 步骤五、回刻蚀裸露的所述STI和所述衬底至所需回刻蚀量； 步骤六、刻蚀调节所述第二器件区上的台阶高度和形貌并去除所述硬掩膜层； 步骤七、在所述第一器件区、所述第二器件区上形成第一栅氧化层，之后去除所述第一器件区上的所述第一栅氧化层； 步骤八、在所述第一器件区上形成第二栅氧化层。

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