中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310174171.5，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由李永亮;罗军;王文武设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于使得CFET器件的结构更加简单，简化CFET器件的制造流程，并降低CFET器件的制造难度。所述半导体器件包括的第一无结型垂直环栅晶体管形成在半导体基底上。第二无结型垂直环栅晶体管形成在第一无结型垂直环栅晶体管上。第二无结型垂直环栅晶体管和第一无结型垂直环栅晶体管的导电类型相反。第一无结型垂直环栅晶体管包括的第一有源结构和第二无结型垂直环栅晶体管包括的第二有源结构均具有源区、漏区和沟道区，源区和漏区分别位于沟道区沿半导体基底厚度方向的两侧。第二有源结构直接形成在第一有源结构上、且第二有源结构的材料带隙宽度不同于第一有源结构的材料带隙宽度。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基底； 第一无结型垂直环栅晶体管，形成在所述半导体基底上； 第二无结型垂直环栅晶体管，形成在所述第一无结型垂直环栅晶体管上；所述第二无结型垂直环栅晶体管和所述第一无结型垂直环栅晶体管的导电类型相反；所述第一无结型垂直环栅晶体管包括的第一有源结构和所述第二无结型垂直环栅晶体管包括的第二有源结构均具有源区、漏区和沟道区，所述源区和所述漏区分别位于所述沟道区沿半导体基底厚度方向的两侧；所述第二有源结构直接形成在所述第一有源结构上、且所述第二有源结构的材料带隙宽度不同于所述第一有源结构的材料带隙宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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