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龙图腾网获悉西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)申请的专利一种基于碳化硅生长过程中清洁测温窗的机构的温度闭环控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116380249B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310173958.X，技术领域涉及：G01J5/00；该发明授权一种基于碳化硅生长过程中清洁测温窗的机构的温度闭环控制方法是由郭帝江;王宏杰;刘洪涛;王毅;王殿设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于碳化硅生长过程中清洁测温窗的机构的温度闭环控制方法在说明书摘要公布了：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及碳化硅生长过程中清洁测温窗的机构及温度闭环控制方法，其中，碳化硅生长过程中清洁测温窗的机构,包括真空腔室,所述真空腔室的上方安装有水冷法兰座,其特征在于，所述真空腔室的上方安装有支撑座,且所述支撑座位于所述水冷法兰座的上方,所述支撑座的上方安装有测温仪。本发明有效解决了由于测温窗堵塞而使红外测温仪无法有效测温导致温度无法实现闭环的问题，当在特定温度段模型监测到温度异常时，会判定测温孔堵塞，通过PLC驱动清洁测温窗机构对测温窗进行清洁，保证红外测温仪测温值的准确性，以实现温度的闭环控制。

本发明授权一种基于碳化硅生长过程中清洁测温窗的机构的温度闭环控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于碳化硅生长过程中清洁测温窗的机构的温度闭环控制方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.首先设置单晶生长炉控制页面中的三个参数θ、ɑ、β，将设备设置一个温度判定值θ，同时设置该温度对应功率的经验值κ，且设置该功率下对应的温度偏差经验值ν，令ɑ=κ，β=ν，ɑ为后续生产过程推算出来θ的对应功率值，β为后续生产过程推算出来的偏差值，ε为偏置量； S2.在下一炉工艺开始前，通过对该设备相同工艺条件下上一炉正常生长过程中θ-30℃与θ+30℃两个温度段对应的感应加热电源的输出功率进行采样统计，两个温度段采样数量相同； S3.将两个温度段采样的加热电源输出功率值相加求均值μ，使均值服从切比雪夫大数定律慢慢靠近总体均值，因此将此次采样所求得的输出功率均值μ与上一炉设置的经验值ɑ相加，再除以2进一步求均值，将该值赋值给ɑ，以此减小误差； S4.将求出的均值μ与上一炉设置的经验值ɑ相减后取绝对值Δ，通过采样上一炉正常生长过程中θ±β温度段内温度与电源输出功率的比值关系取均值进而求出Δ对应的温度值，将该值与偏置量ε相加后赋值给β； S5.在新一炉的生长过程中，当输出功率达到ɑ同时稳定一段时间后，观察红外测温值是否低于更新后的θ-β值，如低于该值则判定测温孔有堵塞现象，进而通过PLC驱动清洁测温窗机构对测温窗自动进行清洁； S6.以此类推，在第n炉生产过程前，通过对n-1炉θ±β两个温度段对应的感应电源输出功率进行采样，求出均值μ1；同时求出前n-2炉输出功率的全部采样数据与设定的经验值κ求出均值μ2，由于不断生产采样的数据量增加，样本均值逐渐靠近总体均值，同时在不断的生长过程中伴随数据量的增加，人工经验值的影响越来越小；再将μ1与μ2相加除以2进一步求出均值后赋值给ɑ，由于考虑随着设备的不断使用，设备状况会逐渐发生变化，但相邻炉次设备的状态情况差异不大，因此进一步求均值相当于增加了上一炉采样数据的比重； S7.将μ1与μ2相减后取绝对值Δ，通过采样n-1炉正常生长过程中θ±β温度段内温度与电源输出功率的比值关系取均值μ3，同时将n-2炉θ±β温度段内温度与电源输出功率的比值关系的全部采样数据取均值μ4，然后将μ3与μ4相加除以2求出温度与电源输出功率的比值，进而求出Δ对应的温度值，将该值与偏置量ε相加后赋值给β； S8.在第n炉的生长过程中，当输出功率达到ɑ同时稳定一段时间后，观察红外测温值是否低于更新后的θ-β值，如低于该值则判定测温孔有堵塞现象，会产生报警，并通过PLC驱动清洁测温窗机构对测温窗自动进行清洁；否则无堵塞，红外测温仪会将温度值反馈给PLC，通过PLC对温度分析后调节控制加热电源的输出功率实现温度的闭环控制。

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