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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116193853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310208729.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由华文宇;丁潇设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成垂直晶体管；在垂直晶体管上形成第一牺牲层和第一支撑层；在第一牺牲层内和第一支撑层内形成第一支柱层和位于第一支柱层表面的第一电极层，第一电极层与垂直晶体管电连接；去除部分第一支撑层；在第一支柱层、第一牺牲层上形成第二牺牲层和第二支撑层；在第二牺牲层内和第二支撑层内形成第二支柱层和位于第二支柱层表面的第二电极层，与第一电极层电连接；去除部分第二支撑层；在第一支柱层、第二支柱层、第一支撑层和第二支撑层之间形成开口，暴露出第一电极层和第二电极层表面；在第一电极层表面、第二电极层表面形成介电层；在介电层表面形成第三电极层。所述方法工艺难度小。

本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在衬底上形成垂直晶体管； 在垂直晶体管上形成第一牺牲层和位于第一牺牲层上的第一支撑层； 在第一牺牲层内和第一支撑层内形成第一支柱层和位于第一支柱层表面的第一电极层，所述第一电极层与所述垂直晶体管电连接； 形成第一支柱层和第一电极层之后，去除部分第一支撑层，在第一支撑层内形成暴露出第一牺牲层的第一凹槽； 去除部分第一支撑层之后，在第一支柱层上、第一支撑层上、第一牺牲层上以及第一凹槽内形成第二牺牲层和位于第二牺牲层上的第二支撑层； 在第二牺牲层内和第二支撑层内形成第二支柱层和位于第二支柱层表面的第二电极层，所述第二电极层与所述第一电极层电连接； 形成第二支柱层和第二电极层之后，去除部分第二支撑层，在第二支撑层内形成暴露出第二牺牲层的第二凹槽； 去除部分第二支撑层之后，去除所述第一牺牲层和第二牺牲层，在第一支柱层、第二支柱层、第一支撑层和第二支撑层之间形成开口，所述开口暴露出第一电极层和第二电极层表面，所述第一凹槽和第二凹槽与所述开口相贯通； 在第一电极层表面、第二电极层表面、第一支撑层表面和第二支撑层表面形成介电层； 在介电层表面形成第三电极层。

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