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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利一种双过渡层碲镉汞多层异质结器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310246977.0，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种双过渡层碲镉汞多层异质结器件及其制备方法是由俞见云;孔金丞;覃钢;秦强;宋林伟;丛树仁;何天应;李艳辉;赵俊;赵鹏设计研发完成，并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双过渡层碲镉汞多层异质结器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双过渡层碲镉汞多层异质结器件及其制备方法，包括碲锌镉CdZnTe衬底和沉积于碲锌镉衬底上的碲镉汞Hg1‑xCdxTe外延结构，从碲锌镉衬底开始依次为：重掺杂的宽带隙n型Hg1‑x1Cdx1Te接触层N+，轻掺杂的n型Hg1‑ x2Cdx2Te组分梯度过渡层G‑，轻掺杂的n型Hg1‑ x3Cdx3Te组分梯度过渡层G+，较窄带隙轻掺杂的n型Hg1‑x4Cdx4Te吸收层ν，轻掺杂的n型Hg1‑ x5Cdx5Te组分梯度过渡层G‑，轻掺杂的n型Hg1‑ x6Cdx6Te组分梯度过渡层G+，重掺杂宽带隙的p型Hg1‑7Cdx7Te接触层P+。本发明能够提高量子效率，在高工作温度下实现了吸收层内热激发本征载流子的抑制，降低了俄歇复合过程从而有效降低器件的暗电流，提高了器件的工作温度。

本发明授权一种双过渡层碲镉汞多层异质结器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双过渡层碲镉汞多层异质结器件，包括碲锌镉CdZnTe衬底和沉积于碲锌镉衬底上的碲镉汞Hg1-xCdxTe外延结构，其特征在于，所述外延结构从碲锌镉衬底开始依次为： 重掺杂的宽带隙n型Hg1-x1Cdx1Te接触层N+，轻掺杂的n型Hg1-x2Cdx2Te组分梯度过渡层G-，轻掺杂的n型Hg1-x3Cdx3Te组分梯度过渡层G+，较窄带隙轻掺杂的n型Hg1-x4Cdx4Te吸收层ν，轻掺杂的n型Hg1-x5Cdx5Te组分梯度过渡层G-，轻掺杂的n型Hg1-x6Cdx6Te组分梯度过渡层G+，重掺杂宽带隙的p型Hg1-7Cdx7Te接触层P+； 所述轻掺杂的n型Hg1-x2Cdx2Te组分梯度过渡层G-的组分由高到低，所述轻掺杂的n型Hg1-x3Cdx3Te组分梯度过渡层G+的组分由低到高，在所述轻掺杂的n型Hg1-x2Cdx2Te组分梯度过渡层G-与轻掺杂的n型Hg1-x3Cdx3Te组分梯度过渡层G+之间形成一个Cd的组分低洼区；所述轻掺杂的n型Hg1-x5Cdx5Te组分梯度过渡层G-的组分由高到低，所述轻掺杂的n型Hg1-x6Cdx6Te组分梯度过渡层G+的组分由低到高，在所述轻掺杂的n型Hg1-x5Cdx5Te组分梯度过渡层G-与轻掺杂的n型Hg1-x6Cdx6Te组分梯度过渡层G+之间形成一个Cd的组分低洼区。

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