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华中科技大学刘景鑫获国家专利权

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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利在二维磁纳米粒子成像装置复杂激励磁场下的测温方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116399467B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310254067.7,技术领域涉及:G01K7/36;该发明授权在二维磁纳米粒子成像装置复杂激励磁场下的测温方法是由刘景鑫;刘文中;黄鹏权;张芝慧设计研发完成,并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

在二维磁纳米粒子成像装置复杂激励磁场下的测温方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种在二维磁纳米粒子成像装置复杂激励磁场下的测温方法,属于纳米材料测试技术领域。针对二维磁纳米粒子成像装置产生的复杂激励磁场,提出了一种磁纳米测温方法。具体在利用复杂激励信号导致磁纳米粒子出现丰富的非线性磁化率同温度之间的关系的同时,还考虑了实际二维MPI应用中,场强和粒子饱和磁化强度对测温的影响,建立补偿函数,并给出了粒子的主导弛豫机制为尼尔弛豫或主导弛豫机制为布朗弛豫的情况下的测温模型,实现了在二维磁纳米粒子成像装置上的磁纳米粒子实时温度检测,解决了当前磁纳米粒子测温方法无法在二维磁纳米粒子成像装置复杂激励磁场下准确测温的问题。

本发明授权在二维磁纳米粒子成像装置复杂激励磁场下的测温方法在权利要求书中公布了:1.一种在二维磁纳米粒子成像装置复杂激励磁场下的测温方法,其特征在于,包括: S1.将待测磁纳米粒子放置在二维MPI成像装置样品腔中,检测复杂激励磁场下的磁纳米粒子磁化响应信号;所述复杂激励磁场是指非单一类型的磁场; S2.计算磁纳米粒子的三次交流磁化率相位和五次交流磁化率相位; S3.在复杂激励磁场下对粒子的磁化响应进行仿真,建立与场强和饱和磁化强度相关的补偿函数,并联立三次交流磁化率相位和五次交流磁化率相位同温度之间的关系,构建测温模型; S4.将步骤S2计算得到的三次交流磁化率相位、五次交流磁化率相位代入测温模型,计算得到温度; 当粒子表现为尼尔弛豫时,测温模型为: K为各向异性常数,Vm为粒子核体积,kB为玻尔兹曼常数,T为温度,G3,Nhmul,ms、G5,Nhmul,ms为补偿函数,ms为粒子的饱和磁化强度,hmul为复杂激励磁场中的多交变激励磁场的场强比值,τ0为扩散弛豫时间;θ3为三次交流磁化率相位,θ5为五次交流磁化率相位;f3和f5分别为三次混合频率和五次混合频率; 当粒子表现为布朗弛豫时,构建的测温模型为: η为粒子载液粘度,Vh为粒子水动力学体积,G3,Bhmul,ms、G5,Bhmul,ms为补偿函数;ms为粒子的饱和磁化强度,hmul为复杂激励磁场中的多交变激励磁场的场强比值,T为温度,kB为玻尔兹曼常数;θ3为三次交流磁化率相位,θ5为五次交流磁化率相位;f3和f5分别为三次混合频率和五次混合频率; 补偿函数G3,Nhmul,ms、G3,Bhmul,ms的具体数值拟合过程为: 1根据Fokker-Plank方程计算在复杂激励磁场下磁纳米粒子的磁化响应; 2根据粒子的磁化响应,求取粒子的三次磁化率相位信息; 3改变复杂激励磁场中多交变磁场的场强比值,但不改变粒子的饱和磁化强度,重复步骤1、2,得到对应的补偿项数值; 4改变不同温度下对应的粒子饱和磁化强度,但不改变复杂激励磁场中多交变磁场的场强比值,重复步骤1、2,得到构建的模型中对应的补偿项数值; 5对得到的多个离散补偿项数值进行拟合,得到补偿项拟合函数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学,其通讯地址为:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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