京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司王贤娜获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制造方法、探测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310296347.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权阵列基板及其制造方法、探测装置是由王贤娜;王杰;古宏刚设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制造方法、探测装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、探测装置。该阵列基板，包括：薄膜晶体管结构，设置在基底的一侧；薄膜晶体管结构包括有源结构、栅极和源漏极，栅极设置在有源结构远离基底的一侧，源漏极设置在栅极远离有源结构的一侧；第一电极结构，设置在基底的一侧；第一电极结构与有源结构，同层且相互分隔，通过源漏极电连接；光电器件结构，设置在第一电极结构远离基底的一侧；遮光结构，设置在薄膜晶体管结构和基底之间，遮光结构与源漏极电连接。本申请实施例提供的阵列基板，有效降低光漏电噪音，有效降低X射线的照光剂量。
本发明授权阵列基板及其制造方法、探测装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括至少一个感光子像素，所述感光子像素包括： 基底； 薄膜晶体管结构，设置在所述基底的一侧，所述薄膜晶体管结构包括有源结构、栅极和源漏极，所述栅极设置在所述有源结构远离所述基底的一侧，所述源漏极设置在所述栅极远离所述有源结构的一侧； 第一电极结构，设置在所述基底的一侧；所述第一电极结构与所述有源结构，同层且相互分隔，通过所述源漏极电连接； 光电器件结构，设置在所述第一电极结构远离所述基底的一侧； 遮光结构，设置在所述薄膜晶体管结构和所述基底之间，所述遮光结构与所述源漏极电连接。
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