中国科学院上海微系统与信息技术研究所刘强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种SOI MOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310325989.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种SOI MOS器件及其制备方法是由刘强;俞文杰设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SOI MOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种SOIMOS器件及其制备方法，所述SOIMOS器件包括：基底、偏置电极结构、栅极结构、源区、漏区、栅极金属层、源极金属层及漏极金属层，其中基底包括衬底、埋氧层、有源层、空腔及设置于空腔顶部的空腔口；偏置电极结构包括覆盖空腔内壁的介电层、填充所述的导电层及与所述导电层电连接的偏置电极，介电层包裹导电层；栅极结构包括栅极及栅介质层；源区及漏区分别位于栅极结构的两侧的有源层中；栅极金属层、源极金属层及漏极金属层分别与栅极、源区、漏区电连接。本发明的SOIMOS器件及其制备方法通过偏置电极结构的设置减小了SOIMOS器件的寄生电容，减少了漏电流，提高了器件的性能。
本发明授权一种SOI MOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SOIMOS器件，其特征在于，包括： 基底，包括依次堆叠的衬底、埋氧层、有源层及空腔，所述空腔嵌于所述基底中且所述空腔的顶部与所述有源层的上表面间隔预设距离，所述空腔的顶部设有至少一个与外部连通的空腔口； 偏置电极结构，包括覆盖所述空腔内壁的介电层、填充所述空腔的导电层及与所述导电层电连接的偏置电极，所述介电层包裹所述导电层； 栅极结构，包括依次堆叠的栅极及栅介质层，所述栅极结构位于所述空腔的上方，且所述栅极结构与所述空腔口之间间隔预设距离； 源区及漏区，分别位于所述栅极结构沿X方向的两侧的所述有源层中； 栅极金属层、源极金属层及漏极金属层，所述栅极金属层与所述栅极电连接，所述源极金属层与所述源区电连接，所述漏极金属层与所述漏区电连接。
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