中国科学院上海微系统与信息技术研究所刘强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种环栅晶体管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207155B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310336228.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种环栅晶体管器件及其制备方法是由刘强;俞文杰设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环栅晶体管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种环栅晶体管器件及其制备方法，器件包括：衬底层、绝缘层、顶半导体层、第一栅极、第二栅极、源极、漏极，绝缘层与顶半导体层之间设置有凹槽，凹槽内设置有第一栅极，绝缘层的第一表面未设置第一栅极的位置设置预置电荷层，和或半导体凸台与绝缘层接触的表面设置预置电荷层。本发明通过设置预置电荷层在顶半导体层与绝缘层之间的第一栅极周围，使环栅晶体管的沟道开关主要由全环绕栅控制，从而充分发挥环栅晶体管的性能优势；同时利用先后注入离子形成纳米晶，以进一步降低π型沟道对器件的控制；另外，配合对凹槽上方的顶半导体层的清洗，降低全环绕栅的沟道阈值电压受预置电荷层的影响。
本发明授权一种环栅晶体管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种环栅晶体管器件，其特征在于，所述环栅晶体管器件包括：衬底层、绝缘层、顶半导体层、第一栅极、第二栅极、源极、漏极； 所述绝缘层位于所述衬底层上方，所述顶半导体层位于所述绝缘层上方，所述绝缘层与所述顶半导体层之间设置有凹槽，所述凹槽不贯穿所述绝缘层；所述顶半导体层包括悬空沟道和半导体凸台，所述凹槽两侧为所述半导体凸台，所述半导体凸台连接于所述悬空沟道，所述悬空沟道横跨于所述凹槽上； 所述凹槽内设置有第一栅极，所述顶半导体层上方及侧壁设置有第二栅极，所述第二栅极的长度大于所述第一栅极的长度； 所述绝缘层的第一表面未设置所述第一栅极的位置设置预置电荷层，和或所述半导体凸台与所述绝缘层接触的表面设置预置电荷层，所述预置电荷层用以调节其对应的沟道的阈值电压； 所述悬空沟道两端的所述顶半导体层分别设置有源区和漏区，所述源极设置于所述源区上方，所述漏极设置于所述漏区上方。
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