中国科学院上海微系统与信息技术研究所刘强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种环栅晶体管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310336232.3，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种环栅晶体管结构及其制备方法是由刘强;俞文杰设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环栅晶体管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种环栅晶体管结构及其制备方法，结构包括：衬底层、绝缘层、顶半导体层、栅极、源极和漏极；绝缘层与顶半导体层之间设置有凹槽，凹槽两侧的半导体凸台的底面部分设置预掺杂层；悬空沟道表面包裹栅介质层，栅介质层表面包裹栅电极层，栅介质层和栅电极层构成栅极，悬空沟道上方及侧壁的栅极长度大于悬空沟道下方的栅极长度。本发明通过在悬空沟道两端的半导体凸台底部设置预掺杂层，使器件的沟道区域中的π沟道结构对器件开关的控制能力弱于全环绕沟道结构的控制能力，从而在减小源漏极与栅极之间的寄生电容和偏置电场的同时，充分发挥全环绕栅极晶体管的优异电学性能。
本发明授权一种环栅晶体管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种环栅晶体管结构，其特征在于，所述结构包括：衬底层、绝缘层、顶半导体层、栅极、源极和漏极； 所述绝缘层设置于所述衬底层上，所述顶半导体层设置于所述绝缘层上； 所述绝缘层与所述顶半导体层之间设置有凹槽，所述凹槽不贯穿所述绝缘层，所述顶半导体层包括悬空沟道和半导体凸台，所述凹槽两侧为所述半导体凸台，所述半导体凸台连接于所述悬空沟道，所述悬空沟道横跨于所述凹槽上，所述凹槽两侧的所述半导体凸台的底面部分设置预掺杂层，以调节所述预掺杂层对应的沟道的阈值电压； 所述悬空沟道表面包裹栅介质层，所述栅介质层表面包裹栅电极层，所述栅介质层和所述栅电极层构成所述栅极，所述栅介质层及所述栅电极层共同填满所述凹槽，所述悬空沟道上方及侧壁的所述栅极的长度大于所述悬空沟道下方的所述栅极的长度； 所述悬空沟道两端的所述顶半导体层分别设置有源区和漏区，所述源极设置于所述源区上方，所述漏极设置于所述漏区上方。
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