森谢尔公司;旭化成微电子株式会社贝蒂尔·赫克获国家专利权
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龙图腾网获悉森谢尔公司;旭化成微电子株式会社申请的专利气体检测装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119546944B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202380033457.X,技术领域涉及:G01N21/3504;该发明授权气体检测装置是由贝蒂尔·赫克;约纳斯·容布拉德;藤田浩己;八木立志;弗洛里亚·奥托内洛·布里亚诺设计研发完成,并于2023-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本气体检测装置在说明书摘要公布了:本发明涉及气体检测装置,并且具体地涉及挥发性物质传感器,诸如呼吸酒精装置传感器。根据本发明的半导体气体传感器装置包括激光器结构以及形成在同一化合物半导体中的光波导谐振器,该化合物半导体包括至少一个光发射层和一个光传播层。光波导谐振器形成在光传播层中,并且其大部分与光传播层的剩余部分分开。激光器结构与光波导谐振器的一部分相邻设置,并被布置成将特定波长带处的电磁辐射传输到被布置成在该特定波长带处谐振的光波导谐振器。
本发明授权气体检测装置在权利要求书中公布了:1.一种用于确定气流内的挥发性物质的浓度的半导体气体传感器装置(100),所述半导体气体传感器装置(100)包括激光器结构(112)以及形成在同一化合物半导体(120)中的光波导谐振器(106),以及用于检测在所述光波导谐振器(106)中传播的电磁波的光功率耗散的器件(112;116),所述化合物半导体(120)包括单晶基板(101)以及设置在基板(101)上的多个外延生长的半导体单晶层(125),其中,所述多个外延生长的半导体单晶层(125)包括至少一个光发射层(103)和一个光传播层(104),并且其中, -所述光发射层(103)至少存在于所述激光器结构(112)中,并且被布置成发射特定波长带内的电磁辐射; -所述光波导谐振器(106、106’、106”)至少部分地由所述光传播层(104)的一个部分构成,并且所述光波导谐振器(106、106’、106”)的主要部分与所述光传播层(104)的剩余部分分开,并被布置成在所述特定波长带中谐振;并且 -所述激光器结构(112)与所述光波导谐振器(106)的一部分相邻设置,从而提供用于将所述激光器结构(112)的所述光发射层(103)中生成的所述特定波长带内的电磁辐射传输到所述光波导谐振器(106)的器件, 其中,所述半导体气体传感器装置(100)包括至少部分地形成在所述光传播层(104)中并且被布置成控制所述特定波长带的位置的MEMS调制器(114a、114b)。
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