华南理工大学宁洪龙获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种高反射高导电多组元合金电极薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116607045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310383411.2，技术领域涉及：C22C9/00；该发明授权一种高反射高导电多组元合金电极薄膜及其制备方法与应用是由宁洪龙;曾璇;姚日晖;彭俊彪;梁志豪;付钰斌;郭晨潇;刘丁荣;刘宇翔;邓泽能设计研发完成，并于2023-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高反射高导电多组元合金电极薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于新型电子器件制备技术领域,公开了一种高反射高导电多组元合金电极薄膜以及其制备方法与应用。所述合金电极薄膜为铜基合金，成分为：Cu‑Cr‑Zr‑Ag，Cu元素的含量为99wt％‑99.8wt％，Cr元素的含量为0.12wt％‑0.3wt％，Zr元素的含量为0.05wt％‑0.2wt％，Ag元素的含量为0.1wt％‑0.2wt％。本发明通过银元素的引入，既保留了高结合强度以及阻止劣化性扩散的特点。同时银的加入优化了电极的导电性能，同时对于薄膜的表面形貌也起到了修饰作用，降低了表面粗糙度，提高了薄膜的反射率。同时，本发明采用双靶位磁控共溅射方法沉积薄膜，可通过改变功率自由调控薄膜中各组元成分。
本发明授权一种高反射高导电多组元合金电极薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种高反射高导电多组元合金电极薄膜，其特征在于，所述合金电极薄膜为铜基合金，成分为：Cu-Cr-Zr-Ag，其中，Cu元素的含量为99wt％-99.8wt％，Cr元素的含量为0.12wt％-0.3wt％，Zr元素的含量为0.05wt％-0.2wt％，Ag元素的含量为0.1wt％-0.2wt％； 所述薄膜厚度为80nm-120nm，反射率≥60％，电阻率≤3μΩ·cm。
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