上海擎茂微电子科技有限公司吴小利获国家专利权
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龙图腾网获悉上海擎茂微电子科技有限公司申请的专利一种带有可编程内置电阻栅的IGBT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116845097B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310450972.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种带有可编程内置电阻栅的IGBT是由吴小利;王海军设计研发完成，并于2023-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有可编程内置电阻栅的IGBT在说明书摘要公布了：本发明涉及一种带有可编程内置电阻栅的IGBT，其通过在栅金属PAD与栅极总线之间设置若干组可编程电阻栅，使得该IGBT在出厂后，操作人员可通过烧录PAD对若干组可编程电阻栅进行编程，进而对内置栅极电阻进行调节，以使其与相应的应用场景相适应。
本发明授权一种带有可编程内置电阻栅的IGBT在权利要求书中公布了：1.一种带有可编程内置电阻栅的IGBT，包括芯片本体，芯片本体包括衬底1、位于衬底上方的栅金属PAD2及栅极总线3，其特征在于：栅金属PAD与栅极总线之间设有若干组可编程电阻栅，可编程电阻栅包括具有第一掺杂类型的多晶硅层4，多晶硅层与衬底之间设有氧化层5，多晶硅层的一端与栅金属PAD连接，另一端与栅极总线连接，多晶硅层的中部设有具有第二掺杂类型的掺杂区6，带有可编程内置电阻栅的IGBT还包括若干烧录PAD7，各可编程电阻栅的多晶硅层分别通过电熔丝8连接对应的烧录PAD。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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