湖北九峰山实验室王红莉获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116390625B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310498366.5，技术领域涉及：H10N30/072；该发明授权硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件是由王红莉;沈晓安;应豪;胡昌宇设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件，在第一衬底上形成光学器件，以形成光学器件结构；将光学器件结构的光学器件一端与第二衬底进行键合；对第一衬底进行减薄处理，并进行平坦化操作；在减薄处理后的第一衬底表面上集成压电元件；对第一衬底与压电元件进行介质填充，并形成介质层；将介质层与驱动电路连接，以形成压电控制器件。可以在硅光工艺的后端采用键合的方式，在已经形成光学结构的衬底反面与压电晶片集成，进行了键合后的压电控制器件工艺容忍度也随之提高，可与现有工艺兼容，且对现有硅光工艺影响小，有利于大规模生产，并且降低了生产过程中的工艺难度，也从而提高了产品良率。
本发明授权硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件在权利要求书中公布了：1.一种硅光控制器件的集成方法，其特征在于，所述方法包括： 在第一衬底上形成光学器件，以形成光学器件结构； 将所述光学器件结构的光学器件一端与第二衬底进行键合； 对所述第一衬底进行减薄处理，并进行平坦化操作； 在减薄处理后的所述第一衬底表面上通过键合预制压电晶片集成压电元件； 将所述压电元件与驱动电路连接，以形成压电控制器件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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