西南大学袁亚利获国家专利权
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龙图腾网获悉西南大学申请的专利一种光电活性异质结材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116642933B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310611985.0，技术领域涉及：C12Q1/68；该发明授权一种光电活性异质结材料及其制备方法和应用是由袁亚利;肖明君;熊千设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电活性异质结材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光电活性异质结材料及其制备方法和应用，属于光电活性异质结材料的制备技术领域。本发明主要是将MoSe2材料添加到CdSe材料中形成光电活性异质结材料（MoSe2CdSe即MC异质结材料），能够进一步改善CdSe的光电性能，降低光生电子‑空穴复合速率；同时由于材料间价带导带的相互匹配显著抑制了异质结材料间光生电子‑空穴对的复合，提高了材料的电荷分离效率因而展现出优异的光吸收能力和较高的光响应电流响应，在制备光致电化学生物传感器中具有良好的应用前景。
本发明授权一种光电活性异质结材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种光致电化学生物传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： （1）将光电活性异质结材料滴加至经预处理的玻碳电极表面，继续滴加直径为16nm的金纳米粒子进行修饰得到已修饰电极；该光电活性异质结材料由摩尔比为0.038:0.063的MoSe2和CdSe组成； （2）依次将AuNPs溶液和H1二聚体的PBS缓冲溶液滴加至步骤（1）中所述已修饰电极的表面，通过Au-S键将H1二聚体组装在步骤（1）中所述已修饰电极的表面，所述H1二聚体通过H1的特异性尾端序列自杂交形成，其中所述H1的5'端修饰有巯基且所述H1的核苷酸序列如SEQIDNO.1所示； （3）用质量分数为1%巯基己醇封闭步骤（2）得到的修饰电极的非特异性吸附位点，引入人体抑癌基因p53触发H1聚合体、H2间的c-HCR反应形成DNA纳米网，之后将硫堇固载在纳米网的双链DNA中，封闭30~40min后用去离子水淌洗，基于光电活性异质结材料结合c-HCR核酸放大策略，得到光致电化学生物传感器。
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