安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116565695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310662757.6，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种半导体激光器是由李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;张江勇;陈婉君;张会康设计研发完成，并于2023-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体激光器，包括：从下往上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；有源层包括阱层和垒层；有源层的阱层的电子有效质量小于垒层电子有效质量，有源层的阱层的自发极化系数小于垒层的自发极化系数，有源层的阱层的禁带宽度小于垒层的禁带宽度。本发明能够抑制高In组分半导体激光器的InN相分离、偏析和组分波动，能够有效提升有源层的晶体质量和界面质量，能够有效增强有源层电子空穴复合效率，以及能够有效降低缺陷与非辐射复合中心，从而能够有效提升绿光激光器的斜率效率。
本发明授权一种半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括： 从下往上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层； 所述有源层包括阱层和垒层； 所述有源层的阱层的电子有效质量小于垒层电子有效质量，所述有源层的阱层的自发极化系数小于垒层的自发极化系数，所述有源层的阱层的禁带宽度小于垒层的禁带宽度； 所述有源层包括第一有源层和第二有源层； 所述第一有源层的电子有效质量、自发极化系数和禁带宽度均具有倒U型分布； 所述第二有源层的电子有效质量、自发极化系数和禁带宽度均具有倒W型分布。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽格恩半导体有限公司，其通讯地址为：237161 安徽省六安市金安区巢湖路288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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