中国人民解放军陆军装甲兵学院魏世丞获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军陆军装甲兵学院申请的专利一种电磁波吸收材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119181982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310739975.5，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种电磁波吸收材料及其制备方法是由魏世丞;黄威;王博;王玉江;梁义设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电磁波吸收材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于复合材料技术领域，本发明提供了一种电磁波吸收材料及其制备方法。该方法包括以下步骤：将Cu2O粉末、钼酸铵、硫脲和水混合后进行反应即得电磁波吸收材料。在本发明中，利用碱离子插层的原理，通过简单的水热法制备出了一种高1T相占比的电磁波吸收材料，将MoS2纳米片的自模板生长机制应用于Cu2‑xS空心盒子表面负载，避免了MoS2的过渡团聚问题。本发明制备的电磁波吸收材料具有良好的介电损耗和阻抗性能，是一种优异的轻量级电磁波吸收体。
本发明授权一种电磁波吸收材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电磁波吸收材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将Cu2O粉末、钼酸铵、硫脲和水混合后进行反应即得电磁波吸收材料； 所述Cu2O粉末与钼酸铵的摩尔比为3～4：0.25～1； 所述钼酸铵和硫脲的MoS摩尔比为1：2～8； 所述反应的温度为160～240℃，反应的时间为20～30h； 所述电磁波吸收材料具有MoS2包覆空心Cu9S5立方体的核壳复合结构，在酸环境中，大量的NH4 +插入至MoS2层间，使其具有高1-T相占比，将MoS2纳米片的自模板生长机制应用于Cu2-xS空心盒子表面负载，避免了MoS2的过渡团聚问题。
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