上海艾普强粒子设备有限公司许文贞获国家专利权
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龙图腾网获悉上海艾普强粒子设备有限公司申请的专利一种宽能谱中子辐射检测仪的剂量标定系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117031530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311166293.6，技术领域涉及：G01T7/00；该发明授权一种宽能谱中子辐射检测仪的剂量标定系统和方法是由许文贞;孙建义;潘文君;陈小龙设计研发完成，并于2023-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽能谱中子辐射检测仪的剂量标定系统和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽能谱中子辐射检测仪的剂量标定系统和方法，该系统包括顺次放置的中子靶装置、偏转系统、束流垃圾桶、中子准直器和测试台，其中，中子靶装置用于产生高产额中子；偏转系统用于使经中子靶装置后剩余的质子束流偏转；束流垃圾桶用于收集屏蔽偏转的质子束流和辐射场；中子准直器用于屏蔽需要消除的背景中子辐射场；测试台用于对消除背景中子辐射场后的高能窄谱中子剂量进行标定。本方案能够提高宽能谱中子辐射检测仪对高能中子剂量标定的准确性。
本发明授权一种宽能谱中子辐射检测仪的剂量标定系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种宽能谱中子辐射检测仪的剂量标定系统，其特征在于，包括顺次放置的中子靶装置、偏转系统、束流垃圾桶、中子准直器和测试台， 所述中子靶装置用于使质子束流产生高产额中子；所述偏转系统用于使经中子靶装置后剩余的质子束流偏转；所述束流垃圾桶用于收集屏蔽偏转的质子束流和辐射场；所述中子准直器用于屏蔽需要消除的背景中子辐射场；所述测试台用于对消除背景中子辐射场后的高能窄谱中子剂量进行标定，其中，所述中子靶装置采用锂靶，所述锂靶采用2-167mgcm2的锂靶膜，所述锂靶膜的厚度与单能中子的产额成正比；所述偏转系统采用环形halbach永磁铁阵列使经中子靶装置之后剩余的质子束流产生偏转，所述环形halbach永磁铁阵列的磁场强度为1.5T；所述环形halbach永磁铁阵列的好场区范围为20mm，用于使能量为70MeV-235MeV的质子束流的偏转角度在10°到5°范围内；所述束流垃圾桶放置在偏转系统对质子束流的偏转角度范围内，所述束流垃圾桶中充满水。
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