天合光能股份有限公司张雅倩获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117199185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311249792.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用是由张雅倩;刘成法;陈红;简磊;林爱奇;吴晓鹏;张帅;陆玉刚;邹杨设计研发完成，并于2023-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用。该硅片除杂方法，包括如下步骤：提供一裸硅片，所述裸硅片具有相对的正面和背面，且均包含机械损伤层；对所述裸硅片的正面进行制绒处理，形成反射率为7％～15％的织构面，制备硅片中间体；对所述硅片中间体进行扩散处理，所述硅片中间体的正面掺杂磷或硼且被二氧化硅包覆，所述硅片中间体的杂质向背面中的机械损伤层迁移聚集，形成外吸杂区且被二氧化硅包覆；去除所述外吸杂区表面的二氧化硅包覆层和所述外吸杂区。该方法具有吸杂效率高、条件温和、操作简单、低成本的优点，将除杂后的硅片用于器件中，能够增加光吸收，提高短路电流、开路电压、填充因子和电池光电转换效率。
本发明授权硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种硅片除杂方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一裸硅片，所述裸硅片具有相对的正面和背面，且均包含机械损伤层； 对所述裸硅片的正面进行制绒处理，形成反射率为7％～15％的织构面，制备硅片中间体；其中，所述硅片中间体为单面制绒单面保留机械损伤层； 对所述硅片中间体进行扩散处理，所述硅片中间体的正面掺杂磷或硼，且被二氧化硅包覆，所述硅片中间体的杂质向背面中的机械损伤层迁移聚集，形成外吸杂区且被二氧化硅包覆； 去除所述外吸杂区表面的二氧化硅包覆层和所述外吸杂区，去除所述外吸杂区后所制得的硅片表面的反射率20％～50％。
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