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龙图腾网获悉上海集成电路材料研究院有限公司申请的专利一种电子束直写装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118859638B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410859391.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种电子束直写装置是由刘强;王诗男设计研发完成，并于2023-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电子束直写装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种电子束直写装置，包括控制模块以及至少一个电子束源输出模块；控制模块用于产生i种控制信号；i为大于等于2的整数；各电子束源输出模块中任一电子束源输出模块在同时接收到i种控制信号时开启，进而发射对应的电子束；其中，各电子束源输出模块均包括接收单元、束流强度调控单元以及输出单元；束流强度调控单元用于提供强度调控信号；各接收单元的i个控制端在同时接收到i种控制信号时产生开启信号；各输出单元基于接收的开启信号以及强度调控信号发射对应的电子束并通过强度调控信号调控电子束的束流强度。本发明有效解决了电子束源阵列中各电子束源的束流强度不一致导致的直写时间不一致，均匀性不一致等问题。

本发明授权一种电子束直写装置在权利要求书中公布了：1.一种电子束直写装置，其特征在于，所述电子束直写装置包括：控制模块以及至少一个电子束源输出模块； 所述控制模块用于产生i种控制信号；i为大于等于2的整数； 各电子束源输出模块分别连接控制模块；各电子束源输出模块中任一电子束源输出模块在同时接收到i种控制信号时开启，进而发射对应的电子束； 其中，各电子束源输出模块均包括接收单元、束流强度调控单元以及输出单元；所述束流强度调控单元用于提供强度调控信号；各接收单元的i个控制端分别接收对应的控制信号，并在同时接收到i种控制信号时产生开启信号；各输出单元分别接收对应的开启信号以及对应的强度调控信号，基于接收的所述开启信号以及所述强度调控信号发射对应的电子束并通过所述强度调控信号调控所述电子束的束流强度； 其中，所述束流强度调控单元包括第三晶体管、第四晶体管、第二可变电阻器、第一电阻器以及第二电阻器； 所述第三晶体管的第一端接收第一调控信号，第二端接收第二调控信号，第三端连接所述第二可变电阻器的调节端； 所述第二可变电阻器的第一固定端接地，第二固定端经由所述第一电阻器连接至第三电压源； 所述第四晶体管的第一端连接所述第二可变电阻器的第二固定端，第二端经由所述第二电阻器接地，第三端输出所述强度调控信号。

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