湖北九峰山实验室吴畅获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种强极化异质结Fin-HEMT器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117542886B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311613939.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种强极化异质结Fin-HEMT器件及制备方法是由吴畅;王凯;邢绍琨;刘捷龙;郭涛设计研发完成，并于2023-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种强极化异质结Fin-HEMT器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种强极化异质结Fin‑HEMT器件。该强极化异质结Fin‑HEMT器件包括沟道层，沟道层为非故意掺杂的ε‑Ga2O3层，沟道层上表面沿栅宽方向刻蚀有沟槽形成Fin结构，其中，刻蚀的深度为h；插入层：插入层材料的禁带宽度小于ε‑Ga2O3的禁带宽度，插入层沉积在沟道层上且其在沟槽中的厚度为d1；势垒层，势垒层沉积在插入层上且其在沟槽中的厚度为d2，势垒层为ε‑AlxGa1‑x2O3层，且d1+d2＜h；栅电极，栅电极制作在势垒层上且呈鳍式结构；还包括设置在栅电极两侧的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极均与沟道层、插入层和势垒层接触。该器件多阈值耦合效果好且能够在不损失Fin之间的沟道宽度和二维电子气浓度的前提下，提高器件的线性度。
本发明授权一种强极化异质结Fin-HEMT器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种强极化异质结Fin-HEMT器件，其特征在于，至少包括 沟道层，所述沟道层为非故意掺杂的ε-Ga2O3层，所述沟道层上表面沿栅宽方向刻蚀有沟槽形成Fin结构，其中，刻蚀的深度为h； 插入层：所述插入层材料的禁带宽度小于ε-Ga2O3的禁带宽度，所述插入层沉积在沟道层上且其在沟槽中的厚度为d1； 势垒层，所述势垒层沉积在插入层上且其在沟槽中的厚度为d2，所述势垒层为ε-AlxGa1-x2O3层，且d1+d2＜h； 栅电极，所述栅电极制作在势垒层上且呈鳍式结构； 还包括设置在栅电极两侧的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极均与沟道层、插入层和势垒层接触； 其中，源漏电极通过接触层与沟道层、插入层和势垒层接触；所述势垒层为N型掺杂ε-AlxGa1-x2O3层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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