拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司高级获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118563273B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311773440.6，技术领域涉及：C23C14/56；该发明授权薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质是由高级;蔡东坡;韩影设计研发完成，并于2023-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种薄膜沉积设备、一种薄膜沉积方法及一种计算机可读存储介质。所述薄膜沉积设备包括工艺腔室、真空泵、反应气源、吹扫气源及控制器。所述工艺腔室中包括晶圆托盘。所述真空泵经由第一阀门及晶圆吸附管路连接所述晶圆托盘。所述反应气源经由第二阀门连接所述工艺腔室。所述吹扫气源经由第三阀门连接所述工艺腔室，并经由第四阀门及所述晶圆吸附管路连接所述晶圆托盘。本发明可以通过设置一种新的解吸附气体通入路径，用于缓解气动阀门的内漏问题，以降低薄膜沉积设备的维护成本。
本发明授权薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括： 工艺腔室，其中包括晶圆托盘； 真空泵，经由第一阀门及晶圆吸附管路连接所述晶圆托盘； 反应气源，经由第二阀门连接所述工艺腔室，用于将反应气体通向晶圆的正面，以对所述晶圆进行薄膜沉积工艺； 吹扫气源，经由第三阀门连接所述工艺腔室，用于将吹扫气体通向所述晶圆的正面，并经由第四阀门及所述晶圆吸附管路连接所述晶圆托盘，用于将所述吹扫气体通向所述晶圆的背面；以及 控制器，被配置为：在完成所述晶圆的薄膜沉积工艺之后，开启所述第一阀门、所述第二阀门及所述第四阀门，并通过控制所述第一阀门、所述第二阀门及所述第四阀门的开度，在吸附所述晶圆的同时，清洁所述晶圆吸附管路；响应于完成所述晶圆吸附管路的清洁，先解吸附所述晶圆，再依次关闭所述第二阀门、所述第四阀门及所述第一阀门，以将所述工艺腔室抽为真空，并将所述晶圆传出所述工艺腔室；以及响应于所述晶圆被传出所述工艺腔室，开启所述第一阀门、所述第三阀门及所述第四阀门，以同步清洁所述工艺腔室及所述晶圆吸附管路。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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