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龙图腾网获悉北京大学申请的专利堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118352310B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410178652.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及电子设备是由吴恒;刘煜;卢浩然;葛延栋;黎明;王润声;黄如设计研发完成，并于2024-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及电子设备在说明书摘要公布了：本申请为堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及电子设备，提供一种堆叠叉板晶体管的电源轨的连接方法、堆叠叉板晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成第一半导体结构；在第一半导体结构上形成第一电源轨；在第一电源轨上形成第一介电壁结构；去除第二牺牲层，并在第一源极结构中形成与第一电源轨连接的第一金属连通结构；在第二半导体结构和第三半导体结构上形成第一金属互连层；将第二半导体结构和第三半导体结构进行倒片；去除衬底和浅沟槽牺牲层的一部分，直至暴露出一对有源结构的第二部分；在一对有源结构的第二部分之间形成第二介电壁结构；在第四半导体结构和第五半导体结构上形成第二金属互连层。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。

本发明授权堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种堆叠叉板晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：一对有源结构以及浅沟槽隔离层，其中，所述有源结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更远离所述衬底，所述第一部分与所述第二部分之间沿垂直于所述衬底的方向上至少设置有依次叠放的第一牺牲层和隔离层；所述浅沟槽隔离层包裹所述第一部分并与所述第一牺牲层平齐； 在所述第一半导体结构上形成第一电源轨，所述第一电源轨位于所述一对有源结构的第一部分之间； 在所述第一电源轨上形成第一介电壁结构； 基于所述一对有源结构的第一部分，形成第二半导体结构和第三半导体结构，所述第二半导体结构包括第一栅极结构、第一源极结构以及第一漏极结构，所述第三半导体结构包括第二栅极结构、第二源极结构以及第二漏极结构；所述第一栅极结构与所述第二栅极结构通过所述第一介电壁结构上的第一介电壁叉板隔离； 去除所述隔离层，并在所述第一源极结构中形成与所述第一电源轨连接的第一金属连通结构； 在所述第二半导体结构和所述第三半导体结构上形成第一金属互连层； 将所述第二半导体结构和所述第三半导体结构进行倒片； 去除所述衬底和所述浅沟槽隔离层的一部分，直至暴露出所述一对有源结构的第二部分； 在所述一对有源结构的第二部分之间形成第二介电壁结构； 基于所述一对有源结构的第二部分，形成第四半导体结构和第五半导体结构，所述第四半导体结构包括第三栅极结构、第三源极结构以及第三漏极结构，所述第五半导体结构包括第四栅极结构、第四源极结构以及第四漏极结构；所述第三栅极结构与所述第四栅极结构通过所述第二介电壁结构上的第二介电壁叉板隔离； 在所述第四半导体结构和所述第五半导体结构上形成第二金属互连层。

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