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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118119182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410253970.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备方法是由黎明;施明旻;毕然;许晓燕;安霞;黄如设计研发完成，并于2024-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过淀积薄膜厚度定义垂直沟道的宽度，实现超越光学光刻精度的沟道尺寸控制，并减少了定义有源区的光刻次数，实现了垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备。采用本发明提高了DRAM存储密度，为实现4F2单元提供了可能性。

本发明授权一种垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备方法，包括如下步骤： A.提供一Si衬底，淀积一层介质材料作为掩膜，并通过光刻和刻蚀图形化，其宽度定义了相邻两个垂直纳米柱的最大距离，该垂直纳米柱的间距包含了每两个一组DRAM单元的字线厚度和隔离宽度； B.以步骤A淀积的介质材料为掩膜选择性刻蚀衬底，刻蚀深度定义了纳米柱高度； C.通过淀积介质材料并进行化学机械抛光，形成STI隔离层，其顶部与步骤A中的介质材料顶部平齐； D.选择性去除步骤A中淀积的介质材料，暴露出Si沟道，并形成一个具有一定侧壁高度的凹形结构； E.热氧化形成一层小于5nm的注入掩蔽层，光刻后通过离子注入形成沟道掺杂并通过退火工艺激活杂质； F.在凹形结构上继续淀积一层介质作为掩膜，淀积介质厚度定义了垂直纳米片宽度，利用各向异性刻蚀工艺在凹形结构的侧壁上形成侧墙； G.以步骤F中形成的侧墙作为掩膜选择性刻蚀衬底，刻蚀深度与步骤B中刻蚀深度相同； H.以步骤F中形成的侧墙作为掩膜选择性刻蚀DRAM单元两侧通过步骤C留下的介质材料，形成没有介质隔离的平行纳米片阵列结构； I.去除步骤C的介质材料，通过离子注入形成位线掺杂，并通过快速退火进行杂质激活以及向纳米片的反向扩散，形成纳米片底部源区掺杂； J.刻蚀形成超薄垂直沟道； K.通过化学气相沉积和化学机械抛光，淀积一层介质材料，重新形成超薄纳米片间介质隔离层； L.通过湿法刻蚀去除表面在步骤F中留下的介质层，进行离子注入，并通过退火进行杂质激活，形成重掺杂的漏区，作为与存储电容连接的区域；光刻定义位线，通过回填介质材料形成位线之间的介质隔离； M.制备金属栅； N.通过化学气相淀积，在表面淀积一层与步骤K中相同的介质材料； O.通过各向异性刻蚀选择性刻蚀步骤N和步骤K中共同淀积的介质层，在DRAM单元的纳米片结构侧壁上形成侧墙结构，并暴露出DRAM单元两侧的衬底表面，而DRAM单元内部纳米片之间的隔离介质由于初始高度差形成部分去除，从而对DRAM单元内的衬底形成保护作用； P.在DRAM单元外侧的衬底表面自对准形成金属硅化物； Q.制备接触孔； R.以下步骤与常规DRAM的存储电容以及互连工艺相同。

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