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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利基于模板生长的钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118201442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410347431.9，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权基于模板生长的钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法是由李文武;吴燕秋;褚君浩设计研发完成，并于2024-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于模板生长的钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于模板生长的钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法，所述钙钛矿薄膜晶体管具有底栅顶接触结构，其自下而上包括栅电极、绝缘层、基于模板生长的钙钛矿半导体有源层、对称的源漏电极。所述的钙钛矿半导体层是通过在三维锡基金属卤化物钙钛矿前驱液中加入可形成低维结构的硫氰酸盐来实现的；其中，硫氰酸根可降低低维结构的形成能，使其在未退火之前大量形成，而在后续的退火过程中诱导垂直于衬底的三维结构的定向生长，实现不同维度钙钛矿的依次生长。所制得的晶体管电流开关比提升约1个数量级、载流子迁移率从8.6cm2V‑ 1s‑1提高到40.5cm2V‑1s‑1、亚阈值摆幅从0.33Vdec下降到0.23Vdec。本发明具有成本低廉、工艺步骤简单等优点。

本发明授权基于模板生长的钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于模板生长的钙钛矿薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述的钙钛矿薄膜晶体管包括从下至上依次排列的栅电极、绝缘层、基于模板生长的锡基金属卤化物钙钛矿半导体有源层、对称的源电极和漏电极；其制备包括以下步骤： 步骤1：配制包括形成低维结构的硫氰酸盐、第一离子、第二离子和有机溶剂的锡基钙钛矿前驱体溶液；其中，形成低维结构的硫氰酸盐、第一离子、第二离子的摩尔比为0.1~40∶60~100∶100； 步骤2：将衬底依次放置于丙酮、去离子水、异丙醇中，分别用超声清洗机清洗15分钟，然后用氮气枪吹干，随后对衬底进行紫外臭氧或等离子体清洗的预处理；所述衬底为带有二氧化硅或氧化铪绝缘层的重掺杂p型硅基底； 步骤3：将步骤1所述钙钛矿前驱体溶液通过移液枪在步骤2清洗后的衬底上表面铺满，采用旋涂仪在4000~6000rpm的旋涂速度下旋涂50~70s，并将反溶剂在旋涂过程中的第8~12s滴在所述衬底上；随后在80~120℃进行退火处理，从而得到锡基钙钛矿半导体有源层； 步骤4：在锡基钙钛矿半导体有源层上蒸镀金属电极，形成源电极和漏电极；制得所述基于模板生长的钙钛矿薄膜晶体管；其中： 所述栅电极为重掺杂p型硅； 所述绝缘层为二氧化硅和氧化铪中的任意一种，二氧化硅的厚度为100~300nm，氧化铪的厚度为10~30nm； 所述基于模板生长的锡基金属卤化物钙钛矿半导体有源层的厚度为10~50nm； 所述源、漏电极为金电极，厚度为30~60nm； 所述第一离子为有机正离子，其中有机正离子选自甲铵离子和甲脒离子中的至少一种； 所述第二离子为二价锡离子，浓度为0.1~0.4molL。

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