买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司;复旦大学申请的专利光电原位有源像素传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118380446B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410390172.8，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权光电原位有源像素传感器及其制造方法是由万景;曲垚儒;邵华;周利民;雷海波设计研发完成，并于2024-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电原位有源像素传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光电原位有源像素传感器，器件单元结构形成于混合衬底上，混合衬底由SOI衬底和半导体衬底组成。器件单元结构包括MOS晶体管和感光结构。MOS晶体管形成于SOI衬底半导体顶层上，MOS晶体管的沟道区由半导体顶层组成。感光结构包括嵌入式PN二极管，嵌入式PN二极管包括形成于半导体外延层表面区域中的第一导电类型重掺杂的第一电极区以及由第一电极区底部的半导体外延层和半导体顶层组成的第二电极区。MOS晶体管底部的介质埋层底部位置的第一界面作为光生载流子收集端。第一电极区通过接触孔连接到由正面金属层组成的第一电极。本发明还公开了一种光电原位有源像素传感器的制造方法。本发明能扩大耗尽区，增加光生载流子分离和迁移速率。

本发明授权光电原位有源像素传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电原位有源像素传感器，其特征在于，器件单元结构形成于混合衬底上，所述混合衬底由SOI衬底和半导体衬底组成； 所述SOI衬底包括半导体主体层，介质埋层和半导体顶层，所述介质埋层形成于所述半导体主体层表面，所述半导体顶层形成于所述介质埋层表面； 所述半导体衬底包括所述半导体主体层和形成于所述半导体主体层表面的半导体外延层； 所述半导体主体层具有第二导电类型轻掺杂，所述半导体外延层具有第二导电类型轻掺杂； 所述器件单元结构包括MOS晶体管和感光结构； 所述MOS晶体管形成于所述半导体顶层上，所述MOS晶体管的沟道区由所述半导体顶层组成； 所述感光结构包括嵌入式PN二极管，所述嵌入式PN二极管包括形成于所述半导体外延层表面区域中的第一导电类型重掺杂的第一电极区以及由所述第一电极区底部的所述半导体外延层和所述半导体顶层组成的第二电极区； 所述MOS晶体管底部的所述介质埋层和所述半导体主体层的第一界面作为第二导电类型的光生载流子收集端； 所述第一电极区通过接触孔连接到由正面金属层组成的第一电极，所述第一电极用于连接反偏电压； 所述器件单元结构在工作状态下，所述反偏电压使所述嵌入式PN二极管的所述第二电极区耗尽并形成用于感光的第一耗尽区，所述反偏电压还使所述第一耗尽区中产生的第二导电类型的光生载流子转移到所述第一界面处；所述第一界面处的所述光生载流子通过界面耦合效应使所述MOS晶体管的阈值电压变化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司;复旦大学，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。