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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司;复旦大学申请的专利光电原位有源像素传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118380445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410390168.1，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权光电原位有源像素传感器及其制造方法是由万景;蒋玉龙;曹雅静;曹永峰;陈昊瑜;周利民;雷海波设计研发完成，并于2024-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电原位有源像素传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光电原位有源像素传感器，器件单元结构形成于双埋层SOI衬底上。双埋层SOI衬底包括：半导体主体层、第二介质埋层、半导体中间层、第一介质埋层和半导体顶层。感光结构包括半导体中间层以及和半导体中间层相接触的第一半导体外延层和第一欧姆接触区。第一欧姆接触区通过顶部的接触孔连接到第一电极。在器件单元结构的周侧还形成有深沟槽隔离，深沟槽隔离的底部表面达到第二介质埋层中。在深沟槽隔离外侧还形成有第二半导体外延层和第二欧姆接触区。深沟槽隔离和第二介质埋层使感光结构和周侧的第二半导体外延层和半导体主体层相隔离，以抑制相邻的器件单元结构之间的串扰。本发明还公开了一种光电原位有源像素传感器的制造方法。

本发明授权光电原位有源像素传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电原位有源像素传感器，其特征在于，器件单元结构形成于双埋层SOI衬底上； 所述双埋层SOI衬底包括：半导体主体层、第二介质埋层、半导体中间层、第一介质埋层和半导体顶层； 所述第二介质埋层形成于所述半导体主体层的顶部表面上，所述半导体中间层形成于所述第二介质埋层的顶部表面上，所述第一介质埋层形成于所述半导体中间层的顶部表面上，所述半导体顶层形成于所述第一介质埋层的顶部表面上； 所述器件单元结构包括MOS晶体管和感光结构； 所述MOS晶体管形成于所述半导体顶层上，所述MOS晶体管的沟道区由所述半导体顶层组成； 所述感光结构包括所述半导体中间层、第一半导体外延层和第一欧姆接触区； 所述第一半导体外延层穿过所述半导体顶层和所述第一介质埋层并和所述半导体中间层接触；所述第一半导体外延层和所述半导体中间层都具有第二导电类型的轻掺杂结构； 所述第一欧姆接触区形成于所述第一半导体外延层的表面区域中并具有第二导电类型的重掺杂结构； 所述第一欧姆接触区通过顶部的接触孔连接到由正面金属层组成的第一电极； 在所述器件单元结构的周侧还形成有深沟槽隔离，所述深沟槽隔离的底部表面达到所述第二介质埋层中； 在所述深沟槽隔离外侧还形成有第二半导体外延层和第二欧姆接触区； 所述第二半导体外延层穿过所述半导体顶层、所述第一介质埋层、所述半导体中间层和所述第二介质埋层并和所述半导体主体层接触；所述第二半导体外延层和所述半导体主体层都具有第二导电类型的轻掺杂结构； 所述第二欧姆接触区形成于所述第二半导体外延层的表面区域中并具有第二导电类型的重掺杂结构； 所述深沟槽隔离和所述第二介质埋层使所述感光结构和周侧的所述第二半导体外延层和所述半导体主体层相隔离，以抑制相邻的所述器件单元结构之间的串扰。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司;复旦大学，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。