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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利基于加速GMRES求解器的自适应扫频电磁仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118395928B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410481787.1，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权基于加速GMRES求解器的自适应扫频电磁仿真方法是由赵鹏;潘思佳;钟元翱;唐柔刚;陈世昌;徐魁文;王高峰设计研发完成，并于2024-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于加速GMRES求解器的自适应扫频电磁仿真方法在说明书摘要公布了：本发明公开基于加速GMRES求解器的自适应扫频电磁仿真方法。在电磁仿真计算中，对于大规模复杂的算例，剖分后形成RWG基函数高达数万个，导致产生的矩阵方程非常庞大。本发明提出一种基于加速GMRES求解器的自适应扫频电磁仿真方法，利用电磁计算中在临近频率点电流变化平缓的特点，采用插值的方法去估计未知点的电流值，再将估计的电流值值作为方程的初始值进而进行求解，可以使得初始电流值更逼近真实求解的电流值，从而显著降低起始残差大小，有效改善求解器预估电流值误差较大的问题，进而降低当前频率点的迭代步数，并与矩量法仿真计算中自适应扫频方法相结合，有效提升仿真效率同时保证结果的准确性。

本发明授权基于加速GMRES求解器的自适应扫频电磁仿真方法在权利要求书中公布了：1.基于加速GMRES求解器的自适应扫频电磁仿真方法，其特征在于该方法包括以下步骤： 步骤1、考虑均匀空间中的一个理想导体位于介电常数为ε、磁导率为μ的环境中，在任意一个方向受到入射场的影响，会产生相应的感应电磁流和向外的散射场；假设入射的平面电磁波的入射电场为Einc，磁场为Hinc，照射到理想导体表面上产生散射电场为Esac，散射磁场为Hsac，在理想导体内部，内部电场Ein和内部磁场Hin均为零； 步骤2、假设仿真频段设定为[f1,fn]，根据二分法插值理论，可知第一轮选取的频率点有三个，分别为f1、fn和fmid，f1为仿真的起始频率点，fn为仿真的结束频率点，fmid为起始和结束频率点的中间值，fmid＝f1+fn2； 步骤3、对当前选取的频率点采用矩量法求解导体内部电磁场，构建矩阵方程； 步骤4、采用加速GMRES求解器迭代求解矩阵方程得到仿真频率点的电流值；具体是： 4-1计算当前频率点的电流值；具体是： 4-1-1对于一个矩阵方程7，初始化Ii＝I0，I0初始化为0，迭代次数i＝0； 4-1-2根据公式7可知公式11，进而得到残差ri； ri＝V-ZIi式11 4-1-3判断残差ri是否小于人为设定的阈值k时，若是则认为当前频率点的Ii即为所求的电流值，否则执行步骤4-1-4； 4-1-4将残差ri正交化处理后结果作为初始Krylov子空间的基向量，然后进行Arnoldi迭代，得到一个近似的解向量Ii+1；然后返回至步骤4-1-2，并更新迭代次数i＝i+1； 4-2计算第三个频率点的电流值；具体是： 4-2-1根据步骤4-1计算步骤2f1、fn和fmid中任意两个频率点的电流值，利用插值算法计算出第三个频率点的预估电流值，将Ii初始化为第三个频率点的预估电流值，初始化迭代次数i＝0； 4-1-2根据公式11，计算得到残差ri； 4-1-3判断残差ri是否小于1时，若是则认为当前频率点的预估电流值为有效值，否则将Ii重置为0，重复操作步骤4-1-2至4-1-4； 步骤5、仿真的准确性评估： 对步骤2f1、fn和fmid的电流值结果进行收敛判断，如果满足收敛条件则停止仿真计算，如果不满足收敛条件则利用二分法插值理论进行下一轮增加新的采样频率点，重复步骤3-5； 步骤6、根据上述计算得到的电流值即可获知电磁仿真参数，实现电磁仿真。

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