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龙图腾网获悉九江德福科技股份有限公司申请的专利一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118390121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410579135.1，技术领域涉及：C25D1/04；该发明授权一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法是由吕吉庆;吴松;涂彬斌;汪聪;张杰;杨红光设计研发完成，并于2024-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法，属于埋阻铜箔技术领域，以解决现有技术无法制备出低电阻温度系数和阻值波动小、电阻率大于9×10‑4的埋阻铜箔产品的问题。方法包括制备生箔层、制备表面处理层、反应溅射电阻层、磁控溅射防氧化层四个步骤。采用本发明方法制备出的埋阻铜箔产品具有以下优点：电阻层的电阻率高，在相同电阻层厚度下，可得到较高的方阻值；产品的电阻温度系数TCR低，具有良好的热稳定性；电阻层均匀致密，可以将方阻值的公差控制在3％内。相比于市面现有产品具有更高的优势，具有更好的应用前景和商业价值。

本发明授权一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法，其特征在于：该方法分为以下步骤： S1.制备生箔层； 按现有技术工艺，通过电化学沉积的方法，使用生箔机制备生箔，通过调整生箔机的车速、电流密度、电镀液组份来获得物性合格的生箔； S2.制备表面处理层； 按现有技术工艺，通过表面处理机，对生箔进行粗糙化处理和非铜金属电镀处理，在生箔层的基础上制备形成表面处理层，即为成品箔； S3.反应溅射电阻层； S3.1预处理； 先采用离子源对成品箔的处理面进行离子轰击，通过调整离子源及其功率、工作气体及其充气量、处理时间来调控预处理效果，清洁成品箔表面； S3.2真空反应溅射镀膜技术制备电阻层； 通过真空反应溅射镀膜技术，使电阻材料以化合物的形式沉积在经过预处理的成品箔表面上，通过调整靶材、镀膜功率、反应气体及其充气量来调控电阻层的厚度和组分，具体如下： 靶材为质量比大于5:5的镍铬合金靶； 镀膜功率为1-15KW； 反应气体及充入量为： 氩气充入量为100-300sccm，纯度为99.99％；氧气充入量为0-200sccm，纯度为99.99％；氮气充入量为0-200sccm，纯度为99.99％； 成膜厚度为20-500nm； 该步骤在表面处理层的基础上获得电阻层； S4.磁控溅射防氧化层； 通过真空磁控溅射镀膜技术，在经过溅射电阻材料的铜箔表面沉积防氧化材料，通过调整靶材、镀膜功率、工作气体及其充气量来调控防氧化层的厚度； 该步骤在电阻层的基础上获得防氧化层； 最终得到埋阻铜箔产品。

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