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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种无定形硅-铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118465919B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410607075.X，技术领域涉及：G02B6/132；该发明授权一种无定形硅-铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法是由曾成;李炽均;夏金松;尚成林设计研发完成，并于2024-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无定形硅-铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光学调制器领域，公开了一种无定形硅‑铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，其中的电光调制器件层中的波导层从左至右包括依次连接的薄膜铌酸锂输入波导、第一薄膜铌酸锂光分束结构、两个平行的无定形硅‑铌酸锂混合光波导、第二薄膜铌酸锂光分束结构和薄膜铌酸锂输出波导；电光调制器件层中的金属电极层还包括若干个T结构电极，通过纵臂连接在金属信号电极和金属接地电极朝向无定形硅‑铌酸锂混合光波导的侧面上。本发明通过沉积有无定型硅的薄膜铌酸锂混合波导与基于T形结构金属电极改进的金属电极层适配，将光波信号的群折射率提高进而与微波信号的有效折射率相匹配，使得集成电光调制器具备大带宽低驱动电压的性能。

本发明授权一种无定形硅-铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无定形硅-铌酸锂混合集成电光调制器，其特征在于，所述集成电光调制器自下而上包括硅衬底层（1）、埋氧层（2）、电光调制器件层； 所述电光调制器件层自下而上依次包括波导层、缓冲层（6）和金属电极层； 所述波导层从左至右包括依次连接的薄膜铌酸锂输入波导（7）、第一薄膜铌酸锂光分束结构、两个平行的无定形硅-铌酸锂混合光波导（11）、第二薄膜铌酸锂光分束结构和薄膜铌酸锂输出波导（8），且所述第一薄膜铌酸锂光分束结构和所述第二薄膜铌酸锂光分束结构均通过薄膜铌酸锂波导（4）与所述两个平行的无定形硅-铌酸锂混合光波导（11）相连；其中，所述无定形硅-铌酸锂混合光波导（11）为在薄膜铌酸锂波导上沉积有厚度为30-70nm的无定型硅形成；所述波导层还包括两个无定形硅楔形波导光学模式转换结构（10），分别设置在所述无定形硅-铌酸锂混合光波导（11）的输入端和输出端，且与所述薄膜铌酸锂波导（4）相连； 所述金属电极层包括行波信号电极（12）、两个行波接地电极（13）和若干个T结构电极（14）；所述行波信号电极（12）在所述波导层上的投影的位置在两个平行的无定形硅-铌酸锂混合光波导（11）之间；所述两个行波接地电极（13）在所述波导层上的投影的位置分别在两个平行的无定形硅-铌酸锂混合光波导（11）的外侧；所述T结构电极通过纵臂连接在所述行波信号电极（12）和所述行波接地电极（13）朝向所述无定形硅-铌酸锂混合光波导（11）的侧面上。

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