华中科技大学龙胡获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于原子级厚度异质结的栅敏晶体管气体传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118759010B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410799856.3，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种基于原子级厚度异质结的栅敏晶体管气体传感器及其制备方法是由龙胡;史铁林;王智智;刘佳鑫;侯琳琳;张焕设计研发完成，并于2024-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于原子级厚度异质结的栅敏晶体管气体传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于原子级厚度异质结的栅敏晶体管气体传感器及其制备方法，属于微纳气体传感器领域，包括异质结晶体管和敏感栅极；所述异质结晶体管自下到上包括基底层、沟道层和介电层；所述敏感栅极位于所述介电层上部，所述敏感栅极为电浮栅；所述沟道层和金属电极接触连接，所述金属电极与信号采集装置连接。本发明采用敏感栅极作为气体分子特异性吸附材料，沟道层负责电信号传导，二者在空间上相分离，降低了对传感材料的要求。
本发明授权一种基于原子级厚度异质结的栅敏晶体管气体传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于原子级厚度异质结的栅敏晶体管气体传感器，其特征在于，包括二维材料异质结晶体管和敏感栅极，所述二维材料异质结晶体管自下到上包括基底层、沟道层和介电层，所述敏感栅极位于所述介电层上部，所述敏感栅极为电浮栅，所述沟道层和金属电极接触连接，所述金属电极与信号采集装置连接； 制备所述基底层的材料为原子级厚度的绝缘材料，所述绝缘材料包括六方氮化硼和氧化铪中的一种或两种； 制备所述沟道层的材料为原子级厚度的高载流子迁移率二维材料，所述高载流子迁移率二维材料包括石墨烯和二硫化钼中的一种或两种； 制备所述介电层的材料为原子级厚度的二维材料，所述二维材料包括六方氮化硼和氧化铪中的一种或两种； 制备所述电浮栅的材料为原子级厚度的二维材料、一维材料或零维材料； 制备所述电浮栅的二维材料为二维金属有机框架，所述一维材料为一维金属氧化物纳米线，所述零维材料为零维金属颗粒。
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