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龙图腾网获悉东南大学申请的专利水平垂直交叉耦合及源谐振器耦合的多层基片集成波导滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119009412B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410828100.7，技术领域涉及：H01P1/203；该发明授权水平垂直交叉耦合及源谐振器耦合的多层基片集成波导滤波器是由朱晓维;仇璐;杨献龙设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本水平垂直交叉耦合及源谐振器耦合的多层基片集成波导滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种水平垂直交叉耦合及源谐振器耦合的多层基片集成波导滤波器，包括从上往下堆叠的上层单元、下层单元。上层单元的两个14模谐振腔与下层单元的全模谐振腔通过位于第二金属层的金属开槽形成垂直耦合，上层单元的两个14模谐振腔通过第一金属层的腔体连接处形成水平交叉耦合，输入微带线和一个14模谐振腔通过第一金属层的源谐振器耦合线形成水平源谐振器耦合。相对于传统的三阶基片集成波导滤波器，本发明在提升了滤波器选择性的情况下，利用垂直耦合结构及14模腔技术实现了小型化。本发明加工方便，水平垂直交叉耦合结构及14模腔技术通过普通的多层PCB工艺即可实现，适用于24GHz‑26GHz频段，可以应用到该频段的5G毫米波移动通信系统中。

本发明授权水平垂直交叉耦合及源谐振器耦合的多层基片集成波导滤波器在权利要求书中公布了：1.一种水平垂直交叉耦合及源谐振器耦合的多层基片集成波导滤波器，其特征在于：包括从上往下堆叠的上层单元、下层单元； 上层单元的结构包括第一介质基片6及粘结层7，第一介质基片6的上表面设有第一金属层3，粘结层7的下表面设有第二金属层4； 下层单元的结构包括第二介质基片8，第二介质基片8的上表面为第二金属层4，第二介质基片8的下表面设有第三金属层5； 第一介质基片6、粘结层7、第一金属层3、第二金属层4、第二介质基片8和第三金属层5上均设有第一金属化通孔阵列9；第二介质基片8、第二金属层4和第三金属层5上设有第二金属化通孔阵列10； 上层单元的第一金属化通孔阵列9的左侧部、第一金属层3的左侧部和第二金属层4构成上层单元的左侧14模谐振腔R1，上层单元的第一金属化通孔阵列9的右侧部、第一金属层3的右侧部和第二金属层4构成上层单元的右侧14模谐振腔R3，下层单元的第一金属化通孔阵列9及第二金属化通孔阵列10、第二金属层4和第三金属层5构成下层单元的全模谐振腔R2； 第一金属层3有源谐振器耦合线12，第二金属层4开有耦合槽13； 上层单元的两侧分别通过左侧14模谐振腔R1无通孔侧和右侧14模谐振腔R3无通孔侧接入输入微带线1和输出微带线2。

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