华中科技大学樊宽军获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种微波电子枪中场致发射电子生成位姿的获取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118857191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410845478.8，技术领域涉及：G01B21/00；该发明授权一种微波电子枪中场致发射电子生成位姿的获取方法是由樊宽军;余烁淳;刘铮铮;李小飞;王健;胡琛设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微波电子枪中场致发射电子生成位姿的获取方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微波电子枪中场致发射电子生成位姿的获取方法，属于电子元器件技术领域，所述定位方法包括：测量场致发射电子在荧光屏上的目标实际位姿；所述场致发射电子在微波电子枪内部生成和出射，并经预设磁场路径聚焦投射到所述荧光屏上；建立在所述微波电子枪内生成场致发射电子的初始可能位姿与到达所述荧光屏时的目标参考位姿之间映射关系；利用所述场致发射电子的每个所述初始可能位姿和所述映射关系，得到每个所述场致发射电子到达所述荧光屏时的目标参考位姿；从多个所述初始可能位姿中选出最准确地所述场致发射电子的生成位姿，可精确地确定场致发射电流在微波电子枪内生成时的具体位置和出射相位。
本发明授权一种微波电子枪中场致发射电子生成位姿的获取方法在权利要求书中公布了：1.一种微波电子枪中场致发射电子生成位姿的获取方法，其特征在于，包括： S1：测量场致发射电子在荧光屏上的目标实际位姿；所述目标实际位姿包括实际径向位置和实际旋转角度；所述场致发射电子在微波电子枪内部生成和出射，并经预设磁场路径聚焦投射到所述荧光屏上； S2：建立在所述微波电子枪内生成场致发射电子的初始可能位姿与到达所述荧光屏时的目标参考位姿之间映射关系；所述初始可能位姿包括：初始径向位置和初始发射相位；所述目标参考位姿包括参考径向位置和参考旋转角度； S3：利用所述场致发射电子的每个所述初始可能位姿和所述映射关系，得到每个所述场致发射电子到达所述荧光屏时的目标参考位姿； S4：从多个所述初始可能位姿中选出其目标参考位姿与所述目标实际位姿差距最小对应的一个作为所述场致发射电子的生成位姿。
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