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龙图腾网获悉睿思微系统(烟台)有限公司申请的专利芯片隔离封装结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118588652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410844866.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权芯片隔离封装结构及方法是由崔双;陈高鹏;刘梦莹设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片隔离封装结构及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片封装领域，特别是涉及芯片隔离封装结构及方法，包括相邻层叠的两层介质基板；位于上方的介质基板的下表面包括向下金属围坝，位于下方的介质基板的上表面包括向上金属围坝；所述向上金属围坝与所述向下金属围坝位置对应，且相互连接组成芯片隔离腔；隔离芯片位于所述芯片隔离腔中，且所述隔离芯片设置于所述向下金属围坝所在的下表面和或所述向上金属围坝所在的上表面；所述上金属围坝与所述下金属围坝为通过图形化电镀得到的金属结构。本发明采用图形电镀的方式设置向上向下两个方向的金属围坝，拼合成芯片封装腔，屏蔽性能好，还能在上下层之间充当支撑结构，提升封装整体的结构稳定性，灵活度高，工艺简单，提升空间利用率。

本发明授权芯片隔离封装结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片隔离封装结构，其特征在于，包括相邻层叠的两层介质基板； 位于上方的介质基板的下表面包括向下金属围坝，位于下方的介质基板的上表面包括向上金属围坝；所述向上金属围坝与所述向下金属围坝位置对应，且相互连接组成芯片隔离腔； 隔离芯片位于所述芯片隔离腔中，且所述隔离芯片设置于所述向下金属围坝所在的下表面和或所述向上金属围坝所在的上表面； 所述上金属围坝与所述下金属围坝为通过图形化电镀得到的金属结构； 位于上方的介质基板的下表面包括向还包括向下气密围坝，位于下方的介质基板的上表面包括向上气密围坝； 所述向上气密围坝与所述向下气密围坝位置对应，且相互连接组成气密隔离仓； 所述芯片隔离腔设置于所述气密隔离仓内； 位于上方的介质基板的下表面包括向下金属针，位于下方的介质基板的上表面包括向上金属针； 所述向下金属针与所述向上金属针位置对应，且相互连接； 所述下表面的重布线层与所述上表面的冲布线层通过所述向上金属针及所述向下金属针电连接； 所述向上金属针及所述向下金属针为通过图形电镀得到的金属结构； 所述向下气密围坝、所述向下金属针与所述向下金属围坝通过单次电镀同时设置；所述向上金属围坝、所述向上金属针与所述向上金属围坝通过单次电镀同时设置。

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