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龙图腾网获悉南京绿芯集成电路有限公司申请的专利功率MOS管组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223310188U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421687907.5，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型功率MOS管组件是由林昌伟设计研发完成，并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率MOS管组件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种功率MOS管组件，包括：N型硅衬底和位于N型硅衬底上表面的N型外延层，所述N型外延层内间隔地设置有至少2个单胞单元，此单胞单元进一步包括P型阱区和沟槽，所述P型阱区位于所述N型外延层的上部；重掺杂N型源极区远离沟槽一端周边和下方包覆有一中掺杂N型接触部，此中掺杂N型接触部上端与P型阱区上端齐平且与一第二金属层接触，所述中掺杂N型接触部下方为P型阱区的区域；相邻单胞单元之间的P型阱区具有一P型离子柱，此P型离子柱上端与第二绝缘介质层接触，下端延伸至N型外延层。本实用新型功率MOS管组件提高了高频开关的响应速度，降低了在高频状态器件使用的损耗，从而扩展了MOS晶体管组件的应用范围。

本实用新型功率MOS管组件在权利要求书中公布了：1.一种功率MOS管组件，其特征在于：包括：N型硅衬底（1）和位于N型硅衬底（1）上表面的N型外延层（2），所述N型硅衬底（1）下表面具有一重掺杂N型漏极区（11），所述重掺杂N型漏极区（11）与N型硅衬底（1）相背的表面具有一第一金属层（3）； 所述N型外延层（2）内间隔地设置有至少2个单胞单元（13），此单胞单元（13）进一步包括P型阱区（4）和沟槽（5），所述P型阱区（4）位于所述N型外延层（2）的上部，位于P型阱区（4）内的沟槽（5）从P型阱区（4）延伸至N型外延层（2）内，所述P型阱区（4）上部内且位于沟槽（5）的周边具有重掺杂N型源极区（8），所述沟槽（5）内具有一栅极部（6），此栅极部（6）与沟槽（5）内壁之间具有一绝缘层（7）； 所述重掺杂N型源极区（8）远离沟槽（5）一端周边和下方包覆有一中掺杂N型接触部（12），此中掺杂N型接触部（12）上端与P型阱区（4）上端齐平且与一第二金属层（10）接触，所述中掺杂N型接触部（12）下方为P型阱区（4）的区域； 相邻单胞单元（13）之间的P型阱区（4）具有一P型离子柱（14），此P型离子柱（14）上端与第二绝缘介质层（92）接触，下端延伸至N型外延层（2），一第一绝缘介质层（91）位于沟槽（5）上方并覆盖于栅极部（6）上，所述第二金属层（10）位于所述绝缘介质层（9）、重掺杂N型源极区（8）上。

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