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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种含有过冲抑制的低静态电流LDO获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118915867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410947836.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种含有过冲抑制的低静态电流LDO是由孟淼;马文涛设计研发完成，并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含有过冲抑制的低静态电流LDO在说明书摘要公布了：本发明提出了一种含有过冲抑制的低静态电流LDO，包括：第一部分、第二部分、第三部分和抑制网络，第一部分包括误差放大器EA；第二部分包括：串联的MOS管M5和MOS管M4；第三部分包括：串联的功率管MP和分压反馈网络；抑制网络包括：第二电流源IREF2、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、耦合电容C1。本发明将耦合用电容C1的上极板接在了新创建的电压节点VN上，当负载电流突然减小，过冲发生时，VN电位从地电位快速跳变一定电位并上升到VDD，由于C1的上极板电压会存在较大的电压突变，因此可以获得更大的放电电流，从而加快过冲的恢复。

本发明授权一种含有过冲抑制的低静态电流LDO在权利要求书中公布了：1.一种含有过冲抑制的低静态电流LDO，其特征在于，包括：第一部分、第二部分、第三部分和抑制网络，其一端均连接电源电压VDD，另一端均接地； 所述第一部分，用于为功率管MP提供G极电压偏置，其包括误差放大器EA；所述第二部分包括：串联的MOS管M5和MOS管M4；所述第三部分包括：串联的功率管MP和分压反馈网络； 所述误差放大器EA，其反相输入端接参考电压VREF，同相输入端接由分压反馈网络输出的反馈电压信号VFB，其输出端连接MOS管M5的G极、功率管MP的G极； 所述MOS管M5的S极、功率管MP的S极均连接电源电压VDD； 所述MOS管M5的D极连接MOS管M4的D极，同时M4的D极与M4的G极相连，MOS管M4的G极引出偏置电压信号VM至误差放大器EA的动态尾电流源和抑制网络；MOS管M4的S极接地； 所述分压反馈网络，其一端连接功率管MP的D极，其另一端接地，其引出反馈电压信号VFB至误差放大器EA的同相输入端； 输出电压信号VOUT自功率管MP的D极引出至负载电阻RL的第一端、输出电容CL的第一端和MOS管M10的D极，负载电阻RL的第二端、输出电容CL的第二端和MOS管M10的S极均接地；所述MOS管M10为NMOS管； 所述抑制网络包括：第二电流源IREF2、MOS管M11、耦合电容C1和MOS管M9、所述MOS管M10； 所述第二电流源IREF2的一端接MOS管M11的D极，MOS管M11的G极接收偏置电压信号VM，MOS管M11的S极接地，第二电流源IREF2的另一端接电源电压VDD； 电压信号VN自第二电流源IREF2和MOS管M11的连接点N处引出至耦合电容C1的上极板，耦合电容C1的下极板连接MOS管M10的G极、MOS管M9的D极；MOS管M9的S极接地，MOS管M9的G极连接其D极。

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