买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种核用高性能SiC_f/SiC复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118754693B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410981320.3，技术领域涉及：C04B35/80；该发明授权一种核用高性能SiC_f/SiC复合材料及其制备方法是由李晓强;朱文杰;郑策;王宇杰;任育伟;卫冲;王生凯设计研发完成，并于2024-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种核用高性能SiC_f/SiC复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种核用高性能SiCfSiC复合材料及其制备方法，涉及复合材料技术领域。所述方法包括得到二维SiCfTi‑Si‑C‑O纤维布；RMI工艺气相渗硅得到SiCfTi3SiC2界面相二维纤维布；将SiCfTi3SiC2界面相二维纤维布浸渍在浆料悬浮液中，得到SiCfTi3SiC2界面TiC‑TiO2纤维布；定型得到SiCfTi3SiC2界面TiC‑TiO2预制体；将SiCfTi3SiC2界面TiC‑TiO2预制体包埋在AlSi合金粉末中，采用RMI工艺液相渗硅在真空炉中1250~1450℃保温30~60min，即得核用高性能SiCfSiC复合材料。本发明采用气相与液相联合逐次渗硅工艺既可以解决当前核用SiCfSiC复合材料气密性差、热导率低的问题，又可以进一步增强材料的抗辐照非晶化和损伤容限，提高SiCfSiC复合材料在反应堆服役过程中的结构强度，提升反应堆设计的安全裕量。

本发明授权一种核用高性能SiC_f/SiC复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种核用高性能SiCfSiC复合材料的制备方法，其特征在于，使用单一反应熔体渗透工艺依次制备得到复合材料界面相和基体相，包括以下步骤： 将二维SiC纤维布置于磁控溅射仪内，使用SiC靶材和TiO2靶材进行共溅射，在SiC纤维表面制得Ti-Si-C-O界面层，得到二维SiCfTi-Si-C-O纤维布； 将二维SiCfTi-Si-C-O纤维布转移到多孔石墨平板上，随后连同平板将二维SiCfTi-Si-C-O纤维布放置于石墨坩埚中，并在石墨坩埚底部铺放Si粉，升温至1450~1500℃，保温30~60min，得到SiCfTi3SiC2界面相二维纤维布； 向糊精溶液中依次加入TiC、TiO2混合原料和Y2O3、Al2O3混合反应助剂，经球磨，得到浆料悬浮液； 将SiCfTi3SiC2界面相二维纤维布浸渍在浆料悬浮液中，得到SiCfTi3SiC2界面TiC-TiO2纤维布； 将SiCfTi3SiC2界面TiC-TiO2纤维布进行叠层堆放形成层状预制体，对层状预制体轴向施压后，烘干后，得到SiCfTi3SiC2界面TiC-TiO2生坯； 将SiCfTi3SiC2界面TiC-TiO2生坯，在惰性气氛或在真空条件下，于1200~1400℃处理2~4h，得到SiCfTi3SiC2界面TiC-TiO2预制体； 将SiCfTi3SiC2界面TiC-TiO2预制体包埋在AlSi合金粉末中，在真空炉中1250~1450℃保温30~60min，制得Ti3SiC2改性的SiC基体相，即得核用高性能SiCfSiC复合材料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西北工业大学，其通讯地址为：710072 陕西省西安市碑林区友谊西路127号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。