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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种无电容动态随机存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118900562B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410996227.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种无电容动态随机存储器及其制备方法是由郭二娟;李慧聪;翟天佑设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无电容动态随机存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无电容动态随机存储器及其制备方法，属于半导体技术领域，包括垂直堆叠的写入晶体管和读取晶体管，分别对应一组源极层、漏极层和栅极层；两个晶体管均使用二维绝缘材料作为封装层来保护二维半导体材料的沟道层，提高了沟道层在高温下的稳定性，减小高温下晶体管的关态泄漏电流，从而延长动态随机存储器的数据保存时间，实现了耐高温的无电容动态随机存储器；在此基础上通过引入第二绝缘层和第四绝缘层，来规避采用二维绝缘材料作为封装层所带来的栅极与沟道之间的栅极电容太小，影响数据存储时间的问题，进而在保证存储性能的条件下，提高了存储器的高温稳定性。

本发明授权一种无电容动态随机存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无电容动态随机存储器，其特征在于，包括： 从下至上依次设置的衬底、第一绝缘层、第一封装层和第一沟道层； 设置在所述第一沟道层之上、且互不相连的第一源极层和第一漏极层；所述第一源极层和所述第一漏极层之间的第一沟道层区域作为第一沟道区域； 覆盖所述第一源极层、所述第一沟道层和所述第一漏极层上表面的第二封装层；所述第二封装层设置有使所述第一漏极层上表面部分或全部裸露的第一通孔； 覆盖所述第二封装层上表面的第二绝缘层；所述第二绝缘层设置有与所述第一通孔贯通的第二通孔； 设置在所述第二绝缘层之上、且至少部分区域位于所述第一沟道区域正上方的第一栅极层； 覆盖所述第二绝缘层和所述第一栅极层上表面的第三绝缘层；所述第三绝缘层设置有使所述第一栅极层上表面部分或全部裸露的第三通孔、和与所述第二通孔贯通的第四通孔； 覆盖所述第三绝缘层上表面的第三封装层；所述第三封装层设置有与所述第三通孔贯通的第五通孔、和与所述第四通孔贯通的第六通孔； 第二源极层和第二漏极层，至少部分所述第二源极层填充在所述第三通孔和第五通孔中，至少部分所述第二漏极层填充在所述第一通孔、第二通孔、第四通孔和第六通孔中； 覆盖所述第三封装层、所述第二源极层和所述第二漏极层上表面的第二沟道层；所述第二源极层和所述第二漏极层之间的第二沟道层区域作为第二沟道区域； 依次设置在所述第二沟道层之上的第四封装层和第四绝缘层； 设置在所述第四绝缘层之上、且至少部分区域位于所述第二沟道区域正上方的第二栅极层； 其中，所述第一沟道层和第二沟道层的材料为二维半导体材料；所述第一封装层、第二封装层、第三封装层和第四封装层的材料为二维绝缘材料。

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