中国人民解放军军事科学院系统工程研究院郭凯获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军军事科学院系统工程研究院申请的专利马赛克式异质结基片芯片集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119024484B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411089459.3，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权马赛克式异质结基片芯片集成方法是由郭凯;高中坤设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本马赛克式异质结基片芯片集成方法在说明书摘要公布了：本发明提出的马赛克式异质结基片芯片集成方法，在同一光学衬底例如硅基片‑二氧化硅衬底上按马赛克方式集成多种不同的光学材料，每种光学材料之间通过晶格匹配工艺或填充材料连接使得其机械结构和光学结构稳定且不产生变形，全芯片集成光学系统开发者可在此基片基础上通过各种刻蚀工艺刻蚀不同的光学器件、通过同一区域反复度穿实现有源器件和无源器件的按需切换，最终实现全芯片集成光学系统的灵活设计和快速加工。
本发明授权马赛克式异质结基片芯片集成方法在权利要求书中公布了：1.一种马赛克式异质结基片芯片集成方法，其特征在于包括： S101、多种材料薄膜的异质结集成，通过多种制备工艺将不同的光学材料统一集成到同一光学基片上，按照马赛克的方式排布各材料区域使得相邻两区域光学材料不同，通过晶格匹配或材料填充的方式将相邻材料区域连接起来，每种光学材料之间通过晶格匹配工艺或填充材料连接使得其机械结构和光学结构稳定； S102、异质结基片的集成，通过刻蚀和抛光对各种光学材料薄膜进行厚度处理，使其满足标准器件所需顶层厚度和光滑度要求； S103、全芯片集成光学系统的一体化设计和制备，根据实际需要在不同区域设计并制备各种光学器件，在此基片基础上通过多轮刻蚀对各区域进行器件刻蚀加工，通过传输波导将各器件连接在一起，通过各种刻蚀工艺刻蚀不同的光学器件，通过同一区域反复度穿实现有源器件和无源器件的按需切换，实现全芯片集成光学系统的一体化制备。
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