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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008810B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411096661.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法是由李文涛;邹燕玲;张存磊;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法，该制备方法包括S10，提供外延片；S20，制备布拉格反射层；S30，在布拉格反射层表面涂布第一光刻胶，后去除掉布拉格反射层上的部分第一光刻胶；S40，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀出布拉格反射层通孔；S50，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺去除布拉格反射层通孔内的残留物；其中，步骤S40的具体步骤包括：S401，进行主反应刻蚀，以形成布拉格反射层通孔；步骤S50的具体步骤包括：S501，清理经主反应刻蚀后产生的副产物；S502，进行氧离子刻蚀，以去除在主反应刻蚀过程后残留有氟离子的第一光刻胶层；S503，进行氩离子刻蚀，以去除残留至布拉格反射层通孔侧壁的氟离子；S504，去除布拉格反射层通孔内的残留物。

本发明授权一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装银镜发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S10，提供一外延片； S20，在所述外延片上制备布拉格反射层； S30，在所述布拉格反射层表面涂布第一光刻胶，后利用曝光、显影工艺去除掉所述布拉格反射层上的部分所述第一光刻胶； S40，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀暴露出的所述布拉格反射层，以形成布拉格反射层通孔； S50，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀所述第一光刻胶和所述布拉格反射层通孔内的氟离子，以去除所述布拉格反射层通孔内的残留物； 其中，所述步骤S40的具体步骤包括： S401，开启机体上功率，并通入主反应气体后，开启机体下功率，进行主反应刻蚀，以形成布拉格反射层通孔； 所述步骤S50的具体步骤包括： S501，关闭所述机体下功率，并通入氮气，以清理经所述主反应刻蚀后产生的副产物； S502，降低所述机体上功率，并开启所述机体下功率，后通入氧气进行氧离子刻蚀，以去除在所述主反应刻蚀过程后残留有氟离子的所述第一光刻胶层； S503，增加所述机体上功率，并降低所述机体下功率，后通入氩气进行氩离子刻蚀，以去除残留至所述布拉格反射层通孔侧壁的氟离子； S504，关闭所述机体下功率，并通入氮气清理刻蚀副产物，以去除所述布拉格反射层通孔内的残留物。

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