北京旭灿半导体科技有限公司;东旭集团有限公司翟虎获国家专利权
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龙图腾网获悉北京旭灿半导体科技有限公司;东旭集团有限公司申请的专利坩埚结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223304588U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422046381.9，技术领域涉及：C30B23/00；该实用新型坩埚结构是由翟虎;孙金梅;史永贵设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本坩埚结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种坩埚结构，涉及半导体单晶制备技术领域。坩埚结构，包括：坩埚本体，坩埚本体用于放置原料；籽晶拖，籽晶拖设置在坩埚本体的第一端，且与坩埚本体连接，籽晶拖具有至少部分为倾斜面的第一流通通道，第一流通通道与坩埚本体连通，以用于传输升华的原料；坩埚盖，坩埚盖盖设在籽晶拖的第二端，且与籽晶拖连接，坩埚盖朝向籽晶拖的一端设置有籽晶，第一流通通道的倾斜面朝向籽晶的方向倾斜，升华的原料通过第一流通通道传输至籽晶上，以形成碳化硅单晶。
本实用新型坩埚结构在权利要求书中公布了：1.一种坩埚结构，其特征在于，包括： 坩埚本体11，所述坩埚本体11用于放置原料； 籽晶拖12，所述籽晶拖12设置在所述坩埚本体11的第一端，且与所述坩埚本体11连接，所述籽晶拖12具有至少部分为倾斜面1221的第一流通通道，所述第一流通通道与所述坩埚本体11连通，以用于传输升华的原料； 坩埚盖13，所述坩埚盖13盖设在所述籽晶拖12的第二端，且与所述籽晶拖12连接，所述坩埚盖13朝向籽晶拖12的一端设置有籽晶，所述第一流通通道的倾斜面1221朝向所述籽晶的方向倾斜，升华的原料通过所述第一流通通道传输至籽晶上，以形成碳化硅单晶。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京旭灿半导体科技有限公司;东旭集团有限公司，其通讯地址为：101405 北京市怀柔区渤海镇环镇路82号1172室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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