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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利兼容CMOS工艺的相变材料后道集成加工方法及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119045120B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411159989.0，技术领域涉及：G02B6/132；该发明授权兼容CMOS工艺的相变材料后道集成加工方法及器件是由林宏焘;王威权设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本兼容CMOS工艺的相变材料后道集成加工方法及器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种兼容CMOS工艺的相变材料后道集成加工方法及器件，加工方法包括：在绝缘体上硅晶片上光子器件的图案化、注入和离子激活，在上层沉积氧化硅并刻蚀窗口并外延生长锗层作为刻蚀停止层，在上层沉积氧化硅并在锗层和掺杂硅上方刻蚀氧化硅沟槽用以填充金属，选择性地蚀刻晶片的功能区中硅波导上方的氧化硅并去除锗层上方的金属及锗，通过磁控溅射在去除锗层的功能区域沉积相变材料的薄膜，在沟槽窗口采用剥离工艺剥离或刻蚀工艺后退火处理，沉积氧化铝保护层并使金属电极裸露。引入CMOS兼容的锗层作为硅波导上的蚀刻停止层，以沟槽的低插入损耗蚀刻深氧化硅沟槽从而集成各种相变材料，使相变材料与现有硅基光电子半导体制造工艺兼容集成。

本发明授权兼容CMOS工艺的相变材料后道集成加工方法及器件在权利要求书中公布了：1.一种兼容CMOS工艺的相变材料后道集成加工方法，其特征在于，所述加工方法包括： 在绝缘体上硅晶片上使用掩膜版进行硅蚀刻以形成具有器件图案的晶片； 在所述晶片中硅的特定区域进行注入和离子激活以在硅的特定区域形成重掺杂硅； 在未掺杂的硅上层沉积厚度为300-500nm的氧化硅并刻蚀窗口，并在所述刻蚀窗口内外延生长锗层作为刻蚀停止层； 在所述晶片上沉积氧化硅并在锗层和掺杂硅上方刻蚀氧化硅沟槽后进行金属填充，通过该方法连续铺设多层电路并制造得到金属电极； 选择性地蚀刻所述晶片的功能区中硅波导上方的氧化硅并用湿法刻蚀工艺去除锗层上方的金属及锗；采用湿法蚀刻工艺去除功能区上方的锗层；所述硅波导也即是未掺杂的硅； 通过磁控溅射在去除锗层的功能区域沉积相变材料的薄膜；所述相变材料的薄膜覆盖所述硅波导及硅波导外围的二氧化硅沟槽； 在沟槽窗口采用剥离工艺进行剥离，得到芯片； 将芯片置于氮气、氩气等惰性气体环境中，在150～400℃的温度范围内退火10~60分钟； 通过原子层沉积工艺在芯片的上层沉积厚度为20~50nm的氧化铝保护层；对金属电极上方的氧化铝和氧化硅进行蚀刻以形成接触窗口并使金属电极裸露。

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