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龙图腾网获悉湖北兴福电子材料股份有限公司申请的专利一种采用FIB制备石英玻璃平面TEM样品的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119064103B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411202740.3，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权一种采用FIB制备石英玻璃平面TEM样品的方法是由叶瑞;黄莉;贺兆波;曾远;徐泽设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用FIB制备石英玻璃平面TEM样品的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种采用FIB制备石英玻璃平面TEM样品的方法，属于半导体制造技术领域。所述的方法包括以下步骤：S1、样品前处理；S2、FIB刻蚀；S3、楔形校正：通过U型切割倾转角的方法，逐步调整离子束的切割角度和强度，减小步骤S2中的楔形试样薄片的楔形程度，制得具有初始观察区域的试样薄片；S4、精细打磨：引入倒切技术，通过操控纳米机械手和钨焊接技术，将观察区域从试样薄片中分离出来，形成独立的TEM样品；S5、样品后处理。本发明通过优化离子束参数和加工步骤、引入改进的倒切技术手段，解决了现有技术中制备样品时产生的非晶层厚、损伤大和效率低的问题，提高了TEM样品的制备效率和质量。

本发明授权一种采用FIB制备石英玻璃平面TEM样品的方法在权利要求书中公布了：1.一种采用FIB制备石英玻璃平面TEM样品的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、样品前处理：将石英玻璃样品固定在样品台上，并对石英玻璃样品进行喷金处理； S2、FIB刻蚀：运用FIB技术对石英玻璃样品进行刻蚀，制得具有初始观察区域的楔形试样薄片； S3、楔形校正：通过U型切割倾转角的方法，逐步调整离子束的切割角度和强度，减小步骤S2中的楔形试样薄片的楔形程度，制得具有初始观察区域的试样薄片； S4、精细打磨：引入倒切技术，通过操控纳米机械手和钨焊接技术，将观察区域从试样薄片中分离出来，形成独立的TEM样品； S5、样品后处理：对步骤S4中制备的TEM样品进行吹扫处理和清洗处理，以去除表面的非晶层和损伤层，制得所述的石英玻璃平面TEM样品； 步骤S3中，所述的U型切割倾转角的方法，具体包括以下步骤：在试样台回到0°的位置时，将楔形试样薄片切割成悬臂梁状；然后，将试样台的倾转角从0°调整至-10°，继续对楔形试样薄片进行减薄，制得具有初始观察区域的试样薄片。

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