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龙图腾网获悉新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利存储器装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119360921B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411494775.9，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权存储器装置及其操作方法是由司秋颖;董祖奇;李建平设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种存储器装置及其操作方法，所述存储器装置中的外围电路被配置为：对存储阵列中的目标存储单元执行第一写入操作，将目标存储单元的阈值电压调整至第一阈值电压分布的范围内，以将第一值写入目标存储单元，或者，将目标存储单元的阈值电压调整至第二阈值电压分布的范围内，以将第二值写入目标存储单元；第二阈值电压分布的最小值大于第一阈值电压分布的最大值；响应于第一写入命令，对与目标存储单元耦接的导电线施加第一读取电压，以对目标存储单元执行第一读取操作，并得到目标存储单元的读取值；第一读取电压大于第二阈值电压分布的最小值；比较读取值和目标值，并根据比较结果确定是否对目标存储单元执行第二写入操作。

本发明授权存储器装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其特征在于，包括存储阵列和与所述存储阵列耦接的外围电路；所述外围电路被配置为： 对所述存储阵列中的目标存储单元执行第一写入操作，将所述目标存储单元的阈值电压调整至第一阈值电压分布的范围内，以将第一值写入所述目标存储单元，或者，将所述目标存储单元的阈值电压调整至第二阈值电压分布的范围内，以将第二值写入所述目标存储单元；所述第二阈值电压分布的最小值大于所述第一阈值电压分布的最大值； 响应于第一写入命令，对与所述目标存储单元耦接的导电线施加第一读取电压，以对所述目标存储单元执行第一读取操作，并得到所述目标存储单元的读取值；所述第一读取电压大于所述第二阈值电压分布的最小值； 比较所述读取值和目标值，并根据比较结果确定是否对所述目标存储单元执行第二写入操作；若所述读取值和所述目标值不同或者所述读取值和所述目标值均为所述第一值，对所述目标存储单元执行所述第二写入操作，否则，不对所述目标存储单元执行所述第二写入操作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街10号院6号楼3层305-5；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。