买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种半导体器件终端结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486221B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411525607.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件终端结构及其制备方法是由吴阳阳;郭飞;王宽;袁俊;成志杰;陈伟设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件终端结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件终端结构及其制备方法，包括宽禁带N型掺杂衬底、N型掺杂漂移区、P型掺杂埋层、N型掺杂电流扩散层，该终端结构靠近阳极的一端形成主结区，远离阳极的一端为切割道，中间为终端区；将终端区上部刻蚀为包括主沟槽和副沟槽的沟槽终端，主沟槽跨越P型掺杂主结区，并深入N型掺杂电流扩散层，在主沟槽底面刻蚀副沟槽，副沟槽包括中间沟槽和侧沟槽。中间沟槽穿过P型掺杂埋层，底部位于N型掺杂漂移区内，侧沟槽在主结区到终端区方向上、切割道区域到终端区方向上侧沟槽之间的间距逐渐减小、和或体积逐渐增加；等效掺杂浓度逐渐减少的P型掺杂埋层能降低，缓解主结区和切割道附近电场集中问题。

本发明授权一种半导体器件终端结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件终端结构，其特征在于，该终端结构包括从下到上依次连接的宽禁带N型掺杂衬底、N型掺杂漂移区、P型掺杂埋层、N型掺杂电流扩散层； 所述N型掺杂电流扩散层一端远离P型掺杂埋层的一侧从下到上依次连接P型掺杂主结区和阳极，所述N型掺杂衬底远离P型掺杂埋层的一侧连接阴极，该终端结构靠近阳极的一端形成主结区，远离阳极的一端为切割道，中间为终端区； 将终端区上部刻蚀为包括主沟槽和副沟槽的沟槽终端，主沟槽跨越P型掺杂主结区，并深入N型掺杂电流扩散层，在主沟槽底面刻蚀副沟槽，所述副沟槽包括将P型掺杂埋层刻穿的中间沟槽和两侧未将P型掺杂埋层刻穿的不少于一个的侧沟槽； 所述中间沟槽穿过P型掺杂埋层，底部位于N型掺杂漂移区内，两侧的侧沟槽在主结区到终端区方向上、切割道区域到终端区方向上侧沟槽之间的间距逐渐减小、和或体积逐渐增加，使所述P型掺杂埋层在从主结区到终端区方向上、切割道区域到终端区方向上P型掺杂埋层的等效掺杂浓度呈现逐渐减少的趋势； 所述体积逐渐增加包括侧沟槽宽度逐渐增加、和或侧沟槽的深度逐渐增加、和或侧沟槽的厚度逐渐增加。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。